řada: OptiMOS 5 MOSFET IQDH29NE2LM5SCATMA1 Typ N-kanálový 789 A 25 V Infineon, PG-WHSON-8, počet kolíků: 8 kolíkový
- Skladové číslo RS:
- 348-884
- Výrobní číslo:
- IQDH29NE2LM5SCATMA1
- Výrobce:
- Infineon
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 2 kusech)*
207,97 Kč
(bez DPH)
251,644 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Dočasně vyprodáno
- Odeslání od 19. října 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 103,985 Kč | 207,97 Kč |
| 20 - 198 | 93,615 Kč | 187,23 Kč |
| 200 - 998 | 86,205 Kč | 172,41 Kč |
| 1000 - 1998 | 80,03 Kč | 160,06 Kč |
| 2000 + | 71,755 Kč | 143,51 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 348-884
- Výrobní číslo:
- IQDH29NE2LM5SCATMA1
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 789A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 25V | |
| Typ balení | PG-WHSON-8 | |
| Řada | OptiMOS 5 | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 8 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 0.29mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 278W | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Normy/schválení | RoHS Compliant | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 789A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 25V | ||
Typ balení PG-WHSON-8 | ||
Řada OptiMOS 5 | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 8 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 0.29mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 278W | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Normy/schválení RoHS Compliant | ||
Automobilový standard Ne | ||
- Země původu (Country of Origin):
- AT
Napájecí tranzistory Infineon Power MOSFET mají nejnižší RDS(ON) v oboru 0,29 mOhm v kombinaci s vynikajícím tepelným výkonem pro snadné řízení ztrát výkonu.
Minimalizované ztráty při vedení
Rychlé spínání
Snížení překmitů napětí
Související odkazy
- řada: OptiMOS MOSFET IQE030N06NM5SCATMA1 Typ N-kanálový 132 A 60 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový
- řada: OptiMOS MOSFET IQE046N08LM5SCATMA1 Typ N-kanálový 99 A 80 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový
- řada: OptiMOS MOSFET IQE022N06LM5SCATMA1 Typ N-kanálový 151 A 60 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový
- řada: OptiMOS MOSFET IQE050N08NM5SCATMA1 Typ N-kanálový 99 A 80 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový
- řada: OptiMOS 6MOSFET IQDH45N04LM6SCATMA1 N-kanálový 611 A 40 V počet kolíků: 8
- řada: OptiMOS 5MOSFET IQD009N06NM5SCATMA1 N-kanálový 445 A 60 V počet kolíků: 8
- řada: OptiMOS 5MOSFET IQD016N08NM5SCATMA1 N-kanálový 323 A 80 V počet kolíků: 8
- řada: OptiMOS 5MOSFET IQDH88N06LM5SCATMA1 N-kanálový 447 A 60 V počet kolíků: 8