řada: OptiMOS 5 MOSFET IQDH29NE2LM5SCATMA1 Typ N-kanálový 789 A 25 V Infineon, PG-WHSON-8, počet kolíků: 8 kolíkový

Zobrazit vše v kategorii MOSFET
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného nacenění

Mezisoučet (1 balení po 2 kusech)*

228,23 Kč

(bez DPH)

276,158 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Dočasně vyprodáno
  • Odeslání od 06. září 2027
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.

Ks
za jednotku
za balení*
2 - 18114,115 Kč228,23 Kč
20 - 198102,75 Kč205,50 Kč
200 - 99894,60 Kč189,20 Kč
1000 - 199887,685 Kč175,37 Kč
2000 +78,67 Kč157,34 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:
348-884
Výrobní číslo:
IQDH29NE2LM5SCATMA1
Výrobce:
Infineon
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

Infineon

Typ produktu

MOSFET

Typ kanálu

Typ N

Maximální trvalý vypouštěcí proud Id

789A

Maximální napětí na zdroji Vds

25V

Typ balení

PG-WHSON-8

Řada

OptiMOS 5

Typ montáže

Povrch

Počet kolíků

8

Maximální odpor zdroje Rds

0.29mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální napětí zdroje brány Vgs

16V

Minimální provozní teplota

-55°C

Maximální ztrátový výkon Pd

278W

Maximální provozní teplota

150°C

Normy/schválení

RoHS Compliant

Automobilový standard

Ne

Země původu (Country of Origin):
AT
Napájecí tranzistory Infineon Power MOSFET mají nejnižší RDS(ON) v oboru 0,29 mOhm v kombinaci s vynikajícím tepelným výkonem pro snadné řízení ztrát výkonu.

Minimalizované ztráty při vedení

Rychlé spínání

Snížení překmitů napětí

Související odkazy

Buďte první u novinek ze světa RS

Váš e-mail

Osobní údaje, které nám poskytnete při registraci do mailing listu, budou zpracovány v souladu s našimi Zásadami ochrany osobních údajů.