řada: OptiMOS MOSFET IQE046N08LM5SCATMA1 N-kanálový 99 A 80 V Infineon, PG-WHSON-8, počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 284-767
- Výrobní číslo:
- IQE046N08LM5SCATMA1
- Výrobce:
- Infineon
Mezisoučet (1 naviják po 6000 kusech)*
215 430,00 Kč
(bez DPH)
260 670,00 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Dočasně vyprodáno
- Odeslání od 23. prosince 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za cívku* |
|---|---|---|
| 6000 + | 35,905 Kč | 215 430,00 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 284-767
- Výrobní číslo:
- IQE046N08LM5SCATMA1
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ kanálu | N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 99A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 80V | |
| Typ balení | PG-WHSON-8 | |
| Řada | OptiMOS | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 8 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 4.6mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Přímé napětí Vf | 1V | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 20V | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 19nC | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 100W | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Normy/schválení | IEC61249-2-21, JEDEC, RoHS | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ kanálu N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 99A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 80V | ||
Typ balení PG-WHSON-8 | ||
Řada OptiMOS | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 8 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 4.6mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Přímé napětí Vf 1V | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 20V | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 19nC | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 100W | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Normy/schválení IEC61249-2-21, JEDEC, RoHS | ||
Automobilový standard Ne | ||
Výkonový tranzistor Infineon MOSFET s technologií OptiMOS 5 je navržen tak, aby poskytoval výjimečný výkon a spolehlivost v aplikacích s vysokou účinností. Tento inovativní tranzistor MOSFET je určen pro synchronní usměrňování ve spínaných zdrojích a obsahuje pokročilé funkce tepelného managementu, které zajišťují vynikající odvod tepla. Díky konfiguraci kanálů logické úrovně N s extrémně nízkým zapínacím odporem zaručuje efektivní provoz i při zvýšených teplotách. Tato součástka splňuje přísné průmyslové normy a zároveň nabízí robustní lavinovou ochranu, což z ní činí prvotřídní volbu pro průmyslové aplikace vyžadující vysokou proudovou zatížitelnost a odolnost vůči okolním vlivům.
Optimalizováno pro vysoce výkonné spínání
Nízký odpor zvyšuje energetickou účinnost
Robustní tepelný výkon pro dlouhou životnost
Lavinově testováno na spolehlivost
Bezolovnaté pokovení splňuje normy RoHS
Bez halogenů pro ekologickou shodu
Ideální pro náročné průmyslové aplikace
Kompaktní balení pro snadnou integraci
Související odkazy
- řada: OptiMOS MOSFET IQE046N08LM5SCATMA1 N-kanálový 99 A 80 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: OptiMOS MOSFET IQE050N08NM5SCATMA1 N-kanálový 99 A 80 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: OptiMOS MOSFET IQE022N06LM5SCATMA1 N-kanálový 151 A 60 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: OptiMOS MOSFET IQE030N06NM5SCATMA1 N-kanálový 132 A 60 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: OptiMOS MOSFET IQE046N08LM5ATMA1 N-kanálový 99 A 80 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: OptiMOS MOSFET IQE022N06LM5CGSCATMA1 N-kanálový 99 A 80 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: OptiMOS 5 MOSFET IQDH29NE2LM5SCATMA1 N-kanálový 789 A 25 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový
- řada: IQD0 MOSFET IQD020N10NM5SCATMA1 N-kanálový 276 A 100 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení