řada: OptiMOS MOSFET IQE046N08LM5SCATMA1 N-kanálový 99 A 80 V Infineon, PG-WHSON-8, počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 284-768
- Výrobní číslo:
- IQE046N08LM5SCATMA1
- Výrobce:
- Infineon
Získejte množstevní slevu na nákup
Přidejte dalších 50 kusů a ušetřete 5%
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 5 kusech)*
498,94 Kč
(bez DPH)
603,71 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Omezený stav zásob
- Plus 5 jednotka(y) budou odesílané od 06. listopadu 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* | Úspora |
|---|---|---|---|
| 5 - 45 | 99,788 Kč | 498,94 Kč | - |
| 50 - 95 | 94,798 Kč | 473,99 Kč | 5% |
| 100 - 495 | 87,932 Kč | 439,66 Kč | 11% |
| 500 - 995 | 80,868 Kč | 404,34 Kč | 18% |
| 1000 + | 77,854 Kč | 389,27 Kč | 21% |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 284-768
- Výrobní číslo:
- IQE046N08LM5SCATMA1
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 99A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 80V | |
| Řada | OptiMOS | |
| Typ balení | PG-WHSON-8 | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 8 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 4.6mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 20V | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 100W | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Přímé napětí Vf | 1V | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 19nC | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Normy/schválení | IEC61249-2-21, JEDEC, RoHS | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 99A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 80V | ||
Řada OptiMOS | ||
Typ balení PG-WHSON-8 | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 8 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 4.6mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 20V | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 100W | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Přímé napětí Vf 1V | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 19nC | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Normy/schválení IEC61249-2-21, JEDEC, RoHS | ||
Automobilový standard Ne | ||
Výkonový tranzistor Infineon MOSFET s technologií OptiMOS 5 je navržen tak, aby poskytoval výjimečný výkon a spolehlivost v aplikacích s vysokou účinností. Tento inovativní tranzistor MOSFET je určen pro synchronní usměrňování ve spínaných zdrojích a obsahuje pokročilé funkce tepelného managementu, které zajišťují vynikající odvod tepla. Díky konfiguraci kanálů logické úrovně N s extrémně nízkým zapínacím odporem zaručuje efektivní provoz i při zvýšených teplotách. Tato součástka splňuje přísné průmyslové normy a zároveň nabízí robustní lavinovou ochranu, což z ní činí prvotřídní volbu pro průmyslové aplikace vyžadující vysokou proudovou zatížitelnost a odolnost vůči okolním vlivům.
Optimalizováno pro vysoce výkonné spínání
Nízký odpor zvyšuje energetickou účinnost
Robustní tepelný výkon pro dlouhou životnost
Lavinově testováno na spolehlivost
Bezolovnaté pokovení splňuje normy RoHS
Bez halogenů pro ekologickou shodu
Ideální pro náročné průmyslové aplikace
Kompaktní balení pro snadnou integraci
Související odkazy
- řada: OptiMOS MOSFET IQE046N08LM5SCATMA1 N-kanálový 99 A 80 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: OptiMOS MOSFET IQE050N08NM5SCATMA1 N-kanálový 99 A 80 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: OptiMOS MOSFET IQE022N06LM5SCATMA1 N-kanálový 151 A 60 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: OptiMOS MOSFET IQE030N06NM5SCATMA1 N-kanálový 132 A 60 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: OptiMOS MOSFET IQE046N08LM5ATMA1 N-kanálový 99 A 80 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: OptiMOS MOSFET IQE022N06LM5CGSCATMA1 N-kanálový 99 A 80 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: OptiMOS 5 MOSFET IQDH29NE2LM5SCATMA1 N-kanálový 789 A 25 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový
- řada: IQD0 MOSFET IQD063N15NM5SCATMA1 N-kanálový 151 A 150 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení