řada: OptiMOS MOSFET IQE022N06LM5CGSCATMA1 N-kanálový 99 A 80 V Infineon, PG-TSON-8, počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 284-751
- Výrobní číslo:
- IQE022N06LM5CGSCATMA1
- Výrobce:
- Infineon
Mezisoučet (1 naviják po 6000 kusech)*
222 300,00 Kč
(bez DPH)
268 980,00 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Dočasně vyprodáno
- Odeslání od 23. prosince 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za cívku* |
|---|---|---|
| 6000 + | 37,05 Kč | 222 300,00 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 284-751
- Výrobní číslo:
- IQE022N06LM5CGSCATMA1
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 99A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 80V | |
| Typ balení | PG-TSON-8 | |
| Řada | OptiMOS | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 8 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 4.6mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Přímé napětí Vf | 1V | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 20V | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 19nC | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 100W | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Normy/schválení | RoHS, IEC61249-2-21, JEDEC | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 99A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 80V | ||
Typ balení PG-TSON-8 | ||
Řada OptiMOS | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 8 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 4.6mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Přímé napětí Vf 1V | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 20V | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 19nC | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 100W | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Normy/schválení RoHS, IEC61249-2-21, JEDEC | ||
Automobilový standard Ne | ||
Výkonový tranzistor Infineon MOSFET je navržen pro vysoký výkon ve spínaných zdrojích a zajišťuje spolehlivost v náročných aplikacích. Je navržen v rámci řady OptiMOS 5 a vyznačuje se výjimečnou účinností a nízkým zapínacím odporem, takže je ideální volbou pro synchronní usměrňování. Díky konstrukci, která neobsahuje Pb a je v souladu s RoHS, splňuje výrobek nejen nejnovější ekologické normy, ale také zaručuje robustní výkon v různých podmínkách. Tento tranzistor je vybaven pokročilým tepelným managementem a lavinovou odolností, což zajišťuje bezpečnější provoz a odolnost v kritických podmínkách. Jeho schopnost řízení na logické úrovni umožňuje bezproblémovou integraci do široké škály elektronických systémů, což dále dokládá jeho všestrannost a výkonovou stabilitu.
Optimalizováno pro vysoce účinnou konverzi energie
Nízký odpor pro vyšší výkon
Konstrukce bez obsahu Pb pro dodržení ekologických požadavků
Lavinový test pro vyšší spolehlivost
Řízení logické úrovně zjednodušuje nízkonapěťové rozhraní
Tepelný odpor pro efektivní řízení tepla
Související odkazy
- řada: OptiMOS MOSFET IQE022N06LM5CGSCATMA1 N-kanálový 99 A 80 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: OptiMOS MOSFET IQE046N08LM5ATMA1 N-kanálový 99 A 80 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: OptiMOS MOSFET IQE046N08LM5SCATMA1 N-kanálový 99 A 80 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: OptiMOS MOSFET IQE050N08NM5SCATMA1 N-kanálový 99 A 80 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: OptiMOS 6 Power Transistor MOSFET ISC030N12NM6ATMA1 N-kanálový 120 V počet kolíků: 8 kolíkový Infineon
- řada: OptiMOS MOSFET IPD030N03LF2SATMA1 N-kanálový 99 A 30 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: OptiMOS MOSFET IQE050N08NM5CGSCATMA1 N-kanálový 99 A 80 V Infineon počet kolíků: 9 kolíkový Vylepšení
- řada: OptiMOS MOSFET IQE046N08LM5CGSCATMA1 N-kanálový 99 A 80 V Infineon počet kolíků: 9 kolíkový Vylepšení
