AEC-Q, řada: NVMFWS MOSFET NVMFWS2D5N08XT1G Typ N-kanálový 156 A 80 V onsemi, DFNW-5, počet kolíků: 5 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 220-574
- Výrobní číslo:
- NVMFWS2D5N08XT1G
- Výrobce:
- onsemi
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 páska po 5 kusech)*
375,44 Kč
(bez DPH)
454,28 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- 1 285 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za pásku* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 75,088 Kč | 375,44 Kč |
| 50 - 95 | 71,384 Kč | 356,92 Kč |
| 100 - 495 | 66,098 Kč | 330,49 Kč |
| 500 - 995 | 60,86 Kč | 304,30 Kč |
| 1000 + | 58,588 Kč | 292,94 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 220-574
- Výrobní číslo:
- NVMFWS2D5N08XT1G
- Výrobce:
- onsemi
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | onsemi | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 156A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 80V | |
| Typ balení | DFNW-5 | |
| Řada | NVMFWS | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 5 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 2.55mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 133W | |
| Přímé napětí Vf | 0.82V | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 45nC | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Normy/schválení | AEC-Q101 | |
| Délka | 5mm | |
| Automobilový standard | AEC-Q | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka onsemi | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 156A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 80V | ||
Typ balení DFNW-5 | ||
Řada NVMFWS | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 5 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 2.55mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 133W | ||
Přímé napětí Vf 0.82V | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 45nC | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Normy/schválení AEC-Q101 | ||
Délka 5mm | ||
Automobilový standard AEC-Q | ||
- Země původu (Country of Origin):
- MY
Výkonové tranzistory MOSFET společnosti ON Semiconductor v plochém pouzdře o rozměrech 5x6 mm určeném pro kompaktní a efektivní konstrukce a s vysokým tepelným výkonem. Možnost smáčitelného boku pro lepší optickou kontrolu. MOSFET s certifikací AEC-Q101 a schopností PPAP vhodný pro aplikace v automobilovém průmyslu.
Bez halogenů
V souladu s RoHS
Související odkazy
- AEC-Q DFNW-5, počet kolíků: 5 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q DFNW-5, počet kolíků: 5 kolíkový
- AEC-Q SO-8FL, počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 MOSFET NVMTS0D7N04CTXG Typ N-kanálový onsemi počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: NVM Jednoduché tranzistory MOSFET NVMFWS0D63N04XMT1G Typ N-kanálový 384 A 40 V onsemi počet kolíků: 5
- onsemi počet kolíků: 8 kolíkový, DFNW
- řada: HiperFET TO-264, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- onsemi počet kolíků: 8 kolíkový
