AEC-Q101, řada: NVM Jednoduché tranzistory MOSFET NVMFWS2D9N04XMT1G N-kanálový 94 A 40 V onsemi, DFNW-5, počet kolíků: 5
- Skladové číslo RS:
- 648-509
- Výrobní číslo:
- NVMFWS2D9N04XMT1G
- Výrobce:
- onsemi
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 páska po 10 kusech)*
258,86 Kč
(bez DPH)
313,22 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- Plus 3 290 jednotka(y) budou odesílané od 10. září 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za pásku* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | 25,886 Kč | 258,86 Kč |
| 100 - 490 | 16,03 Kč | 160,30 Kč |
| 500 - 990 | 9,905 Kč | 99,05 Kč |
| 1000 + | 9,806 Kč | 98,06 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 648-509
- Výrobní číslo:
- NVMFWS2D9N04XMT1G
- Výrobce:
- onsemi
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | onsemi | |
| Typ kanálu | N | |
| Typ produktu | Jednoduché tranzistory MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 94A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 40V | |
| Typ balení | DFNW-5 | |
| Řada | NVM | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 5 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 3.1mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 15.7nC | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 50W | |
| Přímé napětí Vf | 1.2V | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 20V | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Šířka | 5.9mm | |
| Normy/schválení | Pb-Free, RoHS | |
| Délka | 4.9mm | |
| Výška | 1mm | |
| Automobilový standard | AEC-Q101 | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka onsemi | ||
Typ kanálu N | ||
Typ produktu Jednoduché tranzistory MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 94A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 40V | ||
Typ balení DFNW-5 | ||
Řada NVM | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 5 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 3.1mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 15.7nC | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 50W | ||
Přímé napětí Vf 1.2V | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 20V | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Šířka 5.9mm | ||
Normy/schválení Pb-Free, RoHS | ||
Délka 4.9mm | ||
Výška 1mm | ||
Automobilový standard AEC-Q101 | ||
- Země původu (Country of Origin):
- MY
Automobilový výkonový MOSFET společnosti ON Semiconductor v plochém vodičovém pouzdru 5 x 6 mm určeném pro kompaktní a efektivní konstrukce a včetně vysokého tepelného výkonu. K dispozici je volba zvlhčitelného boku pro vylepšenou optickou kontrolu. Kvalifikovaný MOSFET AEC-Q101 a schopnost PPAP, vhodný pro automobilové aplikace.
Malá velikost
Nízká hodnota RDS(zapnuto)
Nízká QG a kapacita
Volitelný zvlhčovací bok
V souladu s RoHS
Související odkazy
- řada: NVM Jednoduché tranzistory MOSFET NVMFWS0D63N04XMT1G N-kanálový 384 A 40 V onsemi počet kolíků: 5
- AEC-Q101 DFNW-5, počet kolíků:
- AEC-Q101 DFNW-5, počet kolíků:
- AEC-Q101 DFN-5, počet kolíků: 5
- onsemi Tranzistor MJD200G 5 A 25 V počet kolíků: 3 kolíkový Jednoduchý
- řada: NTM Jednoduché tranzistory MOSFET NTMFS4D7N04XMT1G N-kanálový 66 A 40 V onsemi počet kolíků: 5 kolíkový
- onsemi Tranzistor 5 A NPN 450 V počet kolíků: 3 kolíkový Jednoduchý
- onsemi Tranzistor -25 A PnP -260 V počet kolíků: 5 kolíkový Jednoduchý