AEC-Q101, řada: NVM Jednoduché tranzistory MOSFET NVMFWS1D1N04XMT1G Typ N-kanálový 233 A 40 V onsemi, DFNW-5, počet

Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného nacenění

Mezisoučet (1 páska po 5 kusech)*

306,77 Kč

(bez DPH)

371,19 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Skladem
  • 800 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.

Ks
za jednotku
za pásku*
5 - 4561,354 Kč306,77 Kč
50 - 24538,038 Kč190,19 Kč
250 - 49521,984 Kč109,92 Kč
500 +21,538 Kč107,69 Kč

*orientační cena

Typy balení:
Skladové číslo RS:
648-512
Výrobní číslo:
NVMFWS1D1N04XMT1G
Výrobce:
onsemi
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

onsemi

Typ produktu

Jednoduché tranzistory MOSFET

Typ kanálu

Typ N

Maximální trvalý vypouštěcí proud Id

233A

Maximální napětí na zdroji Vds

40V

Řada

NVM

Typ balení

DFNW-5

Typ montáže

Povrch

Počet kolíků

5

Maximální odpor zdroje Rds

1.05mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Přímé napětí Vf

1.2V

Typický náboj brány Qg @ Vgs

49.3nC

Minimální provozní teplota

-55°C

Maximální ztrátový výkon Pd

104W

Maximální provozní teplota

175°C

Délka

5mm

Normy/schválení

RoHS, Pb-Free

Automobilový standard

AEC-Q101

Země původu (Country of Origin):
MY
Automobilový výkonový MOSFET společnosti ON Semiconductor v plochém vodičovém pouzdru 5 x 6 mm určeném pro kompaktní a efektivní konstrukce a včetně vysokého tepelného výkonu. K dispozici je volba zvlhčitelného boku pro vylepšenou optickou kontrolu. Kvalifikovaný MOSFET AEC-Q101 a schopnost PPAP, vhodný pro automobilové aplikace.

Malá velikost

Nízká hodnota RDS(zapnuto)

Nízká QG a kapacita

Volitelný zvlhčovací bok

V souladu s RoHS

Související odkazy

Buďte první u novinek ze světa RS

Váš e-mail

Osobní údaje, které nám poskytnete při registraci do mailing listu, budou zpracovány v souladu s našimi Zásadami ochrany osobních údajů.