AEC-Q, řada: NVMFWS MOSFET NVMFWS2D3N04XMT1G N-kanálový 121 A 40 V onsemi, DFNW-5, počet kolíků: 5 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 220-573
- Výrobní číslo:
- NVMFWS2D3N04XMT1G
- Výrobce:
- onsemi
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 páska po 10 kusech)*
166,48 Kč
(bez DPH)
201,44 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- 300 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za pásku* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | 16,648 Kč | 166,48 Kč |
| 100 - 240 | 15,833 Kč | 158,33 Kč |
| 250 - 490 | 14,697 Kč | 146,97 Kč |
| 500 - 990 | 13,486 Kč | 134,86 Kč |
| 1000 + | 12,992 Kč | 129,92 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 220-573
- Výrobní číslo:
- NVMFWS2D3N04XMT1G
- Výrobce:
- onsemi
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | onsemi | |
| Typ kanálu | N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 121A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 40V | |
| Řada | NVMFWS | |
| Typ balení | DFNW-5 | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 5 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 2.35mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Přímé napětí Vf | 0.82V | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 20V | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 22.2nC | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 63W | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Normy/schválení | AECQ101 Qualified and PPAP Capable | |
| Šířka | 6mm | |
| Délka | 5mm | |
| Automobilový standard | AEC-Q | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka onsemi | ||
Typ kanálu N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 121A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 40V | ||
Řada NVMFWS | ||
Typ balení DFNW-5 | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 5 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 2.35mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Přímé napětí Vf 0.82V | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 20V | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 22.2nC | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 63W | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Normy/schválení AECQ101 Qualified and PPAP Capable | ||
Šířka 6mm | ||
Délka 5mm | ||
Automobilový standard AEC-Q | ||
- Země původu (Country of Origin):
- MY
MOSFETy ON Semiconductor mají nízkou kapacitu pro minimalizaci ztrát v ovladači. Toto zařízení neobsahuje Pb, halogeny ani BFR.
Nízký RDS(on) pro minimalizaci ztrát při vedení
V souladu s RoHS
Související odkazy
- AEC-Q DFNW-5, počet kolíků: 5 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q DFNW-5, počet kolíků: 5 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q SO-8FL, počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 MOSFET NVMTS0D7N04CTXG Typ N-kanálový onsemi počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: NVM Jednoduché tranzistory MOSFET NVMFWS0D63N04XMT1G N-kanálový 384 A 40 V onsemi počet kolíků: 5
- řada: IPP MOSFET N-kanálový 121 A 40 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: IPP MOSFET IPP026N04NF2SAKMA1 N-kanálový 121 A 40 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: TSM025 MOSFET N-kanálový 121 A 40 V Taiwan Semiconductor počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení