řada: NTBL MOSFET NTBL075N065SC1 N-kanálový 37 A 650 V onsemi, HPSOF-8L, počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 220-564
- Výrobní číslo:
- NTBL075N065SC1
- Výrobce:
- onsemi
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 páska po 1 kusu)*
186,73 Kč
(bez DPH)
225,94 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- Plus 2 000 jednotka(y) budou odesílané od 30. září 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
páska, -y | za pásku |
|---|---|
| 1 - 9 | 186,73 Kč |
| 10 - 99 | 168,45 Kč |
| 100 - 499 | 155,12 Kč |
| 500 - 999 | 144,00 Kč |
| 1000 + | 116,83 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 220-564
- Výrobní číslo:
- NTBL075N065SC1
- Výrobce:
- onsemi
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | onsemi | |
| Typ kanálu | N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 37A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 650V | |
| Typ balení | HPSOF-8L | |
| Řada | NTBL | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 8 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 85mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 59nC | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 139W | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 22.6V | |
| Přímé napětí Vf | 4.4V | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Normy/schválení | RoHS | |
| Šířka | 10.38mm | |
| Délka | 9.9mm | |
| Výška | 2.3mm | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka onsemi | ||
Typ kanálu N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 37A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 650V | ||
Typ balení HPSOF-8L | ||
Řada NTBL | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 8 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 85mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 59nC | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 139W | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 22.6V | ||
Přímé napětí Vf 4.4V | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Normy/schválení RoHS | ||
Šířka 10.38mm | ||
Délka 9.9mm | ||
Výška 2.3mm | ||
- Země původu (Country of Origin):
- PH
MOSFETy z karbidu křemíku (SiC) společnosti ON Semiconductor využívají zcela novou technologii, která ve srovnání s křemíkem poskytuje vynikající spínací výkon a vyšší spolehlivost. Nízký odpor při zapnutí a kompaktní velikost čipu navíc zajišťují nízkou kapacitu a náboj hradla. Výhody systému tedy zahrnují nejvyšší účinnost, rychlejší provozní frekvenci, zvýšenou hustotu výkonu, snížení EMI a sníženou velikost systému.
Vysokorychlostní spínání s nízkou kapacitou
V souladu s RoHS
Související odkazy
- řada: NTBL MOSFET NTBL060N065SC1 N-kanálový 46 A 650 V onsemi počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: EliteSiC MOSFET NTBL032N065M3S N-kanálový 55 A 650 V onsemi počet kolíků: 8 kolíkový N
- řada: EliteSiC MOSFET NTBL023N065M3S N-kanálový 77 A 650 V onsemi počet kolíků: 8 kolíkový N
- AEC-Q101 HPSOF-8L, počet kolíků: 7 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 HPSOF-8L, počet kolíků: 7 kolíkový Vylepšení
- řada: CoolSiC MOSFET IMTA65R060M2HXTMA1 N-kanálový 37 A 650 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: SQJ740EP MOSFET SQJ740EP-T1_GE3 N-kanálový 123 A 40 V počet kolíků: 4 kolíkový Vishay Vylepšení 2
- řada: SIJ MOSFET SIJ4106DP-T1-GE3 N-kanálový 59 A 100 V Vishay počet kolíků: 7 kolíkový Vylepšení