řada: EliteSiC MOSFET NTBL023N065M3S N-kanálový 77 A 650 V onsemi, HPSOF-8L, počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 333-415
- Výrobní číslo:
- NTBL023N065M3S
- Výrobce:
- onsemi
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 páska po 1 kusu)*
357,16 Kč
(bez DPH)
432,16 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- Plus 1 993 jednotka(y) budou odesílané od 30. září 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
páska, -y | za pásku |
|---|---|
| 1 - 9 | 357,16 Kč |
| 10 - 99 | 321,59 Kč |
| 100 + | 296,65 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 333-415
- Výrobní číslo:
- NTBL023N065M3S
- Výrobce:
- onsemi
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | onsemi | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 77A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 650V | |
| Typ balení | HPSOF-8L | |
| Řada | EliteSiC | |
| Typ montáže | Povrchová montáž | |
| Počet kolíků | 8 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 32.6mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Přímé napětí Vf | 6V | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 69nC | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 22V | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 312W | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Délka | 9.9mm | |
| Normy/schválení | Halide Free and RoHS with Exemption 7a, Pb-Free | |
| Šířka | 10.38mm | |
| Výška | 2.3mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka onsemi | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 77A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 650V | ||
Typ balení HPSOF-8L | ||
Řada EliteSiC | ||
Typ montáže Povrchová montáž | ||
Počet kolíků 8 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 32.6mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Přímé napětí Vf 6V | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 69nC | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 22V | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 312W | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Délka 9.9mm | ||
Normy/schválení Halide Free and RoHS with Exemption 7a, Pb-Free | ||
Šířka 10.38mm | ||
Výška 2.3mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
- Země původu (Country of Origin):
- PH
SiC MOSFET od společnosti ON Semiconductor je optimalizován pro vysoce účinné spínací aplikace, nabízí nízké ztráty ve vedení a robustní tepelný výkon. Jeho pokročilá konstrukce zvyšuje spolehlivost v náročných napájecích systémech při zachování kompaktního balení. Toto zařízení zajišťuje efektivní provoz s minimálními energetickými ztrátami.
H Balíček PSOF8L
Vyhovuje RoHS
Bez Pb
Související odkazy
- řada: EliteSiC MOSFET NTBL032N065M3S N-kanálový 55 A 650 V onsemi počet kolíků: 8 kolíkový N
- řada: NTBL MOSFET NTBL060N065SC1 N-kanálový 46 A 650 V onsemi počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: NTBL MOSFET NTBL075N065SC1 N-kanálový 37 A 650 V onsemi počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 HPSOF-8L, počet kolíků: 7 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 HPSOF-8L, počet kolíků: 7 kolíkový Vylepšení
- řada: CoolMOS C6 MOSFET N-kanálový 77 A 650 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: CoolMOS C6 MOSFET IPW60R041C6FKSA1 N-kanálový 77 A 650 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: IMT MOSFET IMTA65R020M2HXTMA1 N-kanálový 77 A 650 V Infineon počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení