řada: EliteSiC MOSFET NTBL032N065M3S N-kanálový 55 A 650 V onsemi, HPSOF-8L, počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 333-416
- Výrobní číslo:
- NTBL032N065M3S
- Výrobce:
- onsemi
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 páska po 1 kusu)*
151,95 Kč
(bez DPH)
183,86 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- Plus 1 970 jednotka(y) budou odesílané od 30. září 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
páska, -y | za pásku |
|---|---|
| 1 - 9 | 151,95 Kč |
| 10 - 99 | 137,06 Kč |
| 100 - 499 | 126,42 Kč |
| 500 - 999 | 117,00 Kč |
| 1000 + | 95,58 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 333-416
- Výrobní číslo:
- NTBL032N065M3S
- Výrobce:
- onsemi
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | onsemi | |
| Typ kanálu | N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 55A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 650V | |
| Typ balení | HPSOF-8L | |
| Řada | EliteSiC | |
| Typ montáže | Povrchová montáž | |
| Počet kolíků | 8 | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 55nC | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Přímé napětí Vf | 6V | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 227W | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 22V | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Výška | 2.3mm | |
| Šířka | 10.38mm | |
| Normy/schválení | RoHS with exemption 7a, Halide Free, Pb-Free | |
| Délka | 9.9mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka onsemi | ||
Typ kanálu N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 55A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 650V | ||
Typ balení HPSOF-8L | ||
Řada EliteSiC | ||
Typ montáže Povrchová montáž | ||
Počet kolíků 8 | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 55nC | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Přímé napětí Vf 6V | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 227W | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 22V | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Výška 2.3mm | ||
Šířka 10.38mm | ||
Normy/schválení RoHS with exemption 7a, Halide Free, Pb-Free | ||
Délka 9.9mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
- Země původu (Country of Origin):
- PH
SiC MOSFET od společnosti ON Semiconductor je navržen pro efektivní výkonové spínání, nabízí nízké ztráty ve vedení a lepší tepelný výkon. Jeho kompaktní konstrukce zajišťuje spolehlivý provoz v aplikacích s vysokým výkonem a zároveň minimalizuje nároky na prostor. Toto zařízení je optimalizováno pro energetickou účinnost, což snižuje celkový rozptyl energie v systému.
H Balíček PSOF8L
Vyhovuje RoHS
Bez Pb
Související odkazy
- řada: EliteSiC MOSFET NTBL023N065M3S N-kanálový 77 A 650 V onsemi počet kolíků: 8 kolíkový N
- řada: NTBL MOSFET NTBL060N065SC1 N-kanálový 46 A 650 V onsemi počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: NTBL MOSFET NTBL075N065SC1 N-kanálový 37 A 650 V onsemi počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 HPSOF-8L, počet kolíků: 7 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 HPSOF-8L, počet kolíků: 7 kolíkový Vylepšení
- MOSFET N-kanálový 36 A 650 V onsemi počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- MOSFET N-kanálový 20 A 650 V onsemi počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- MOSFET N-kanálový 30 A 650 V onsemi počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení