řada: SIJ MOSFET SIJ4106DP-T1-GE3 N-kanálový 59 A 100 V Vishay, SO-8L, počet kolíků: 7 kolíkový Vylepšení

Zobrazit vše v kategorii MOSFET

Mezisoučet (1 naviják po 3000 kusech)*

67 281,00 Kč

(bez DPH)

81 411,00 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Skladem
  • Plus 3 000 jednotka(y) budou odesílané od 21. září 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks
za jednotku
za cívku*
3000 +22,427 Kč67 281,00 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:
279-9930
Výrobní číslo:
SIJ4106DP-T1-GE3
Výrobce:
Vishay
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

Vishay

Typ produktu

MOSFET

Typ kanálu

N

Maximální trvalý vypouštěcí proud Id

59A

Maximální napětí na zdroji Vds

100V

Typ balení

SO-8L

Řada

SIJ

Typ montáže

Povrch

Počet kolíků

7

Maximální odpor zdroje Rds

0.0083Ω

Režim kanálu

Vylepšení

Minimální provozní teplota

-55°C

Typický náboj brány Qg @ Vgs

48nC

Maximální ztrátový výkon Pd

69.4W

Maximální napětí zdroje brány Vgs

20V

Maximální provozní teplota

150°C

Délka

5.13mm

Normy/schválení

RoHS

Automobilový standard

Ne

MOSFET Vishay je MOSFET s N-kanálem a tranzistor v něm je vyroben z materiálu známého jako křemík.

Výkonový MOSFET TrenchFET

Zařízení zcela bez obsahu olova (Pb)

Velmi nízká hodnota RDS x hodnota Qg podle zásluh

100% testování Rg a UIS

Související odkazy

Buďte první u novinek ze světa RS

Váš e-mail

Osobní údaje, které nám poskytnete při registraci do mailing listu, budou zpracovány v souladu s našimi Zásadami ochrany osobních údajů.