řada: SIJ MOSFET SIJ4108DP-T1-GE3 N-kanálový 56.7 A 100 V Vishay, SO-8L, počet kolíků: 7 kolíkový Vylepšení

Zobrazit vše v kategorii MOSFET

Mezisoučet (1 naviják po 3000 kusech)*

60 954,00 Kč

(bez DPH)

73 755,00 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Skladem
  • Plus 6 000 jednotka(y) budou odesílané od 21. září 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks
za jednotku
za cívku*
3000 +20,318 Kč60 954,00 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:
279-9933
Výrobní číslo:
SIJ4108DP-T1-GE3
Výrobce:
Vishay
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

Vishay

Typ produktu

MOSFET

Typ kanálu

N

Maximální trvalý vypouštěcí proud Id

56.7A

Maximální napětí na zdroji Vds

100V

Řada

SIJ

Typ balení

SO-8L

Typ montáže

Povrch

Počet kolíků

7

Maximální odpor zdroje Rds

0.009Ω

Režim kanálu

Vylepšení

Typický náboj brány Qg @ Vgs

40nC

Maximální napětí zdroje brány Vgs

20V

Minimální provozní teplota

-55°C

Maximální ztrátový výkon Pd

69.4W

Maximální provozní teplota

150°C

Normy/schválení

RoHS

Délka

5.13mm

Automobilový standard

Ne

MOSFET Vishay je MOSFET s N-kanálem a tranzistor v něm je vyroben z materiálu známého jako křemík.

Výkonový MOSFET TrenchFET

Zařízení zcela bez obsahu olova (Pb)

Velmi nízká hodnota RDS x hodnota Qg podle zásluh

100% testování Rg a UIS

Související odkazy

Buďte první u novinek ze světa RS

Váš e-mail

Osobní údaje, které nám poskytnete při registraci do mailing listu, budou zpracovány v souladu s našimi Zásadami ochrany osobních údajů.