řada: HiperFET, Polar MOSFET IXFN60N80P Typ N-kanálový 53 A 800 V IXYS, SOT-227, počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení

Zobrazit vše v kategorii MOSFET
Využijte množstevní slevu

Mezisoučet (1 jednotka)*

1 074,45 Kč

(bez DPH)

1 300,08 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Dočasně vyprodáno
  • 357 jednotka(y) budou odesílané od 09. března 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks
za jednotku
1 - 11 074,45 Kč
2 - 4923,04 Kč
5 - 9898,59 Kč
10 - 19875,62 Kč
20 +853,63 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:
194-350
Číslo zboží společnosti Distrelec:
302-53-376
Výrobní číslo:
IXFN60N80P
Výrobce:
IXYS
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

IXYS

Typ produktu

MOSFET

Typ kanálu

Typ N

Maximální trvalý vypouštěcí proud Id

53A

Maximální napětí na zdroji Vds

800V

Typ balení

SOT-227

Řada

HiperFET, Polar

Typ montáže

Panel

Počet kolíků

4

Maximální odpor zdroje Rds

140mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Přímé napětí Vf

1.5V

Minimální provozní teplota

-55°C

Typický náboj brány Qg @ Vgs

250nC

Maximální ztrátový výkon Pd

1.04kW

Maximální napětí zdroje brány Vgs

30 V

Maximální provozní teplota

150°C

Výška

9.6mm

Normy/schválení

No

Šířka

25.42 mm

Délka

38.23mm

Automobilový standard

Ne

N-kanálový výkon MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™


Výkonové tranzistory MOSFET s technologií N-Channel a rychlou intronickou diodou (HiPerFET™) od IXYS

Tranzistory MOSFET, IXYS


Široká nabídka Advanced diskrétní tranzistorových MOSFET od společnosti IXYS

Související odkazy