řada: HiperFET, Polar MOSFET IXFN82N60P Typ N-kanálový 72 A 600 V IXYS, SOT-227, počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení

Zobrazit vše v kategorii MOSFET
Využijte množstevní slevu

Mezisoučet (1 jednotka)*

1 115,59 Kč

(bez DPH)

1 349,86 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Skladem
  • Plus 2 jednotka(y) budou odesílané od 02. března 2026
  • Plus 169 jednotka(y) budou odesílané od 09. března 2026
  • Plus 350 jednotka(y) budou odesílané od 21. srpna 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks
za jednotku
1 - 11 115,59 Kč
2 - 41 082,35 Kč
5 +1 059,88 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:
194-130
Výrobní číslo:
IXFN82N60P
Výrobce:
IXYS
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

IXYS

Typ kanálu

Typ N

Typ produktu

MOSFET

Maximální trvalý vypouštěcí proud Id

72A

Maximální napětí na zdroji Vds

600V

Typ balení

SOT-227

Řada

HiperFET, Polar

Typ montáže

Panel

Počet kolíků

4

Maximální odpor zdroje Rds

75mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Typický náboj brány Qg @ Vgs

240nC

Minimální provozní teplota

-55°C

Maximální ztrátový výkon Pd

1.04kW

Maximální napětí zdroje brány Vgs

30 V

Přímé napětí Vf

1.5V

Maximální provozní teplota

150°C

Délka

38.2mm

Šířka

25.07 mm

Výška

9.6mm

Normy/schválení

No

Automobilový standard

Ne

N-kanálový výkon MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™


Výkonové tranzistory MOSFET s technologií N-Channel a rychlou intronickou diodou (HiPerFET™) od IXYS

Tranzistory MOSFET, IXYS


Široká nabídka Advanced diskrétní tranzistorových MOSFET od společnosti IXYS

Související odkazy