řada: HiperFET, Polar MOSFET IXFN82N60P N-kanálový 72 A 600 V IXYS, SOT-227, počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení

Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného nacenění

Mezisoučet (1 jednotka)*

1 277,73 Kč

(bez DPH)

1 546,05 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Skladem
  • Plus 89 jednotka(y) budou odesílané od 24. září 2026
  • Plus 221 jednotka(y) budou odesílané od 01. října 2026
  • Plus 100 jednotka(y) budou odesílané od 08. ledna 2027
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.

Ks
za jednotku
1 - 11 277,73 Kč
2 - 41 239,45 Kč
5 +1 214,01 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:
194-130
Výrobní číslo:
IXFN82N60P
Výrobce:
IXYS
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

IXYS

Typ kanálu

N

Typ produktu

MOSFET

Maximální trvalý vypouštěcí proud Id

72A

Maximální napětí na zdroji Vds

600V

Typ balení

SOT-227

Řada

HiperFET, Polar

Typ montáže

Panel

Počet kolíků

4

Maximální odpor zdroje Rds

75mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Minimální provozní teplota

-55°C

Maximální ztrátový výkon Pd

1.04kW

Typický náboj brány Qg @ Vgs

240nC

Přímé napětí Vf

1.5V

Maximální napětí zdroje brány Vgs

-30, +30V

Maximální provozní teplota

150°C

Délka

38.2mm

Výška

9.6mm

Šířka

25.07mm

Normy/schválení

No

Automobilový standard

Ne

N-kanálový výkon MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™


Výkonové tranzistory MOSFET s technologií N-Channel a rychlou intronickou diodou (HiPerFET™) od IXYS

Tranzistory MOSFET, IXYS


Široká nabídka Advanced diskrétní tranzistorových MOSFET od společnosti IXYS

Související odkazy

Buďte první u novinek ze světa RS

Váš e-mail

Osobní údaje, které nám poskytnete při registraci do mailing listu, budou zpracovány v souladu s našimi Zásadami ochrany osobních údajů.