řada: HiperFET, Polar MOSFET IXFN102N30P Typ N-kanálový 86 A 300 V IXYS, SOT-227, počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení

Zobrazit vše v kategorii MOSFET
Využijte množstevní slevu

Mezisoučet (1 jednotka)*

687,65 Kč

(bez DPH)

832,06 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Dočasně vyprodáno
  • Odeslání od 24. srpna 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks
za jednotku
1 - 1687,65 Kč
2 - 4653,32 Kč
5 +618,98 Kč

*orientační cena

Typy balení:
Skladové číslo RS:
193-464
Číslo zboží společnosti Distrelec:
302-53-358
Výrobní číslo:
IXFN102N30P
Výrobce:
IXYS
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

IXYS

Typ kanálu

Typ N

Typ produktu

MOSFET

Maximální trvalý vypouštěcí proud Id

86A

Maximální napětí na zdroji Vds

300V

Řada

HiperFET, Polar

Typ balení

SOT-227

Typ montáže

Panel

Počet kolíků

4

Maximální odpor zdroje Rds

33mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální ztrátový výkon Pd

570W

Maximální napětí zdroje brány Vgs

20 V

Minimální provozní teplota

-55°C

Typický náboj brány Qg @ Vgs

224nC

Přímé napětí Vf

1.5V

Maximální provozní teplota

150°C

Výška

9.6mm

Normy/schválení

No

Délka

38.23mm

Šířka

25.42 mm

Automobilový standard

Ne

N-kanálový výkon MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™


Výkonové tranzistory MOSFET s technologií N-Channel a rychlou intronickou diodou (HiPerFET™) od IXYS

Tranzistory MOSFET, IXYS


Široká nabídka Advanced diskrétní tranzistorových MOSFET od společnosti IXYS

Související odkazy