řada: HiperFET, Polar MOSFET IXFN80N50P Typ N-kanálový 66 A 500 V IXYS, SOT-227, počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení

Zobrazit vše v kategorii MOSFET
Využijte množstevní slevu

Mezisoučet (1 jednotka)*

874,92 Kč

(bez DPH)

1 058,65 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Skladem
  • Plus 20 jednotka(y) budou odesílané od 02. března 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks
za jednotku
1 - 4874,92 Kč
5 +717,54 Kč

*orientační cena

Typy balení:
Skladové číslo RS:
194-029
Číslo zboží společnosti Distrelec:
302-53-378
Výrobní číslo:
IXFN80N50P
Výrobce:
IXYS
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

IXYS

Typ kanálu

Typ N

Typ produktu

MOSFET

Maximální trvalý vypouštěcí proud Id

66A

Maximální napětí na zdroji Vds

500V

Typ balení

SOT-227

Řada

HiperFET, Polar

Typ montáže

Panel

Počet kolíků

4

Maximální odpor zdroje Rds

65mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Typický náboj brány Qg @ Vgs

195nC

Maximální napětí zdroje brány Vgs

30 V

Maximální ztrátový výkon Pd

700W

Přímé napětí Vf

1.5V

Minimální provozní teplota

-55°C

Maximální provozní teplota

150°C

Normy/schválení

No

Délka

38.2mm

Šířka

25.07 mm

Výška

9.6mm

Automobilový standard

Ne

N-kanálový výkon MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™


Výkonové tranzistory MOSFET s technologií N-Channel a rychlou intronickou diodou (HiPerFET™) od IXYS

Tranzistory MOSFET, IXYS


Široká nabídka Advanced diskrétní tranzistorových MOSFET od společnosti IXYS

Související odkazy