řada: HiperFET, Polar MOSFET N-kanálový 53 A 800 V IXYS, SOT-227, počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení

Zobrazit vše v kategorii MOSFET

Mezisoučet (10 jednotky/-ek, do tubusu po 10 ks)*

10 325,59 Kč

(bez DPH)

12 493,96 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Dočasně vyprodáno
  • 890 jednotka(y) budou odesílané od 25. listopadu 2026
  • Plus 300 jednotka(y) budou odesílané od 16. června 2027
  • Plus 600 jednotka(y) budou odesílané od 06. července 2027
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks
za jednotku
za tubu*
10 +1 032,559 Kč10 325,59 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:
168-4494
Výrobní číslo:
IXFN60N80P
Výrobce:
IXYS
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

IXYS

Typ produktu

MOSFET

Typ kanálu

N

Maximální trvalý vypouštěcí proud Id

53A

Maximální napětí na zdroji Vds

800V

Typ balení

SOT-227

Řada

HiperFET, Polar

Typ montáže

Panel

Počet kolíků

4

Maximální odpor zdroje Rds

140mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální ztrátový výkon Pd

1.04kW

Minimální provozní teplota

-55°C

Typický náboj brány Qg @ Vgs

250nC

Maximální napětí zdroje brány Vgs

-30V, +30V

Přímé napětí Vf

1.5V

Maximální provozní teplota

150°C

Šířka

25.42mm

Normy/schválení

No

Délka

38.23mm

Výška

9.6mm

Automobilový standard

Ne

N-kanálový výkon MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™


Výkonové tranzistory MOSFET s technologií N-Channel a rychlou intronickou diodou (HiPerFET™) od IXYS

Tranzistory MOSFET, IXYS


Široká nabídka Advanced diskrétní tranzistorových MOSFET od společnosti IXYS

Související odkazy

Buďte první u novinek ze světa RS

Váš e-mail

Osobní údaje, které nám poskytnete při registraci do mailing listu, budou zpracovány v souladu s našimi Zásadami ochrany osobních údajů.