řada: HiperFET, Polar MOSFET Typ N-kanálový 115 A 200 V IXYS, SOT-227, počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení

Zobrazit vše v kategorii MOSFET

Mezisoučet (1 tuba po 10 kusech)*

6 726,30 Kč

(bez DPH)

8 138,80 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Dočasně vyprodáno
  • Odeslání od 30. září 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks
za jednotku
za tubu*
10 +672,63 Kč6 726,30 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:
920-0735
Výrobní číslo:
IXFN140N20P
Výrobce:
IXYS
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

IXYS

Typ produktu

MOSFET

Typ kanálu

Typ N

Maximální trvalý vypouštěcí proud Id

115A

Maximální napětí na zdroji Vds

200V

Typ balení

SOT-227

Řada

HiperFET, Polar

Typ montáže

Panel

Počet kolíků

4

Maximální odpor zdroje Rds

18mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální napětí zdroje brány Vgs

20 V

Minimální provozní teplota

-55°C

Typický náboj brány Qg @ Vgs

240nC

Přímé napětí Vf

1.5V

Maximální ztrátový výkon Pd

680W

Maximální provozní teplota

175°C

Délka

38.23mm

Šířka

25.42 mm

Normy/schválení

No

Výška

9.6mm

Automobilový standard

Ne

N-kanálový výkon MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™


Výkonové tranzistory MOSFET s technologií N-Channel a rychlou intronickou diodou (HiPerFET™) od IXYS

Tranzistory MOSFET, IXYS


Široká nabídka Advanced diskrétní tranzistorových MOSFET od společnosti IXYS

Související odkazy