STMicroelectronics IGBT STGWA20HP65FB2 N-kanálový 40 A 650 V, TO-247, počet kolíků: 3 kolíkový 1

Momentálně nedostupné
Nevíme, zda bude tato položka opět skladem, RS ji hodlá brzy odstranit z naší nabídky.
Skladové číslo RS:
204-3946
Výrobní číslo:
STGWA20HP65FB2
Výrobce:
STMicroelectronics
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

STMicroelectronics

Typ produktu

IGBT

Typ kanálu

N

Maximální trvalý kolektorový proud (Ic)

40 A

Maximální napětí kolektoru (Vceo)

650 V

Typ balení

TO-247

Počet kolíků

3

Počet tranzistorů

1

Maximální napětí brány (VGEO)

20 V

Země původu (Country of Origin):
CN
The STMicroelectronics HB2 series 650 V IGBT represents an evolution of the Advanced proprietary trench gate field-stop structure. The performance of the HB2 series is optimized in terms of conduction, thanks to a better VCE(sat) behaviour at low current values, as well as in terms of reduced switching energy. A diode used for protection purposes only is co-packaged in antiparallel with the IGBT. The result is a product specifically designed to maximize efficiency for a wide range of fast applications.

Maximum junction temperature of 175°C

Co-packaged protection diode

Minimized tail current

Tight parameter distribution

Low thermal resistance

Positive temperature coefficient

Související odkazy

Buďte první u novinek ze světa RS

Váš e-mail

Osobní údaje, které nám poskytnete při registraci do mailing listu, budou zpracovány v souladu s našimi Zásadami ochrany osobních údajů.