řada: HiperFET, Q3-Class MOSFET IXFH15N100Q3 N-kanálový 15 A 1 kV, TO-247, počet kolíků: 3 kolíkový IXYS Vylepšení 1
- Skladové číslo RS:
- 920-0969
- Výrobní číslo:
- IXFH15N100Q3
- Výrobce:
- IXYS
Momentálně nedostupné
Nevíme, zda bude tato položka opět skladem, RS ji hodlá brzy odstranit z naší nabídky.
- Skladové číslo RS:
- 920-0969
- Výrobní číslo:
- IXFH15N100Q3
- Výrobce:
- IXYS
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | IXYS | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Řada | HiperFET, Q3-Class | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud (Id) | 15 A | |
| Maximální napětí na zdroji (Vds) | 1 kV | |
| Typ balení | TO-247 | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Počet prvků na čip | 1 | |
| Konfigurace tranzistoru | Jednoduchý | |
| Přímé napětí (Vf) | 1.4 V | |
| Výška | 16.26 mm | |
| Délka | 16.26 mm | |
| Maximální odpor zdroje (Rds) | 1.05 Ω | |
| Maximální napětí zdroje brány (Vgs) | -30 V, +30 V | |
| Maximální provozní teplota | 150 °C | |
| Maximální ztrátový výkon (Pd) | 690 W | |
| Minimální provozní teplota | -55 °C | |
| Typ montáže | Průchozí otvor, Průchozí otvor | |
| Normy/schválení | No | |
| Typický náboj brány (Qg) @ Vgs | 64 nC | |
| Šířka | 5.3 mm | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka IXYS | ||
Automobilový standard Ne | ||
Řada HiperFET, Q3-Class | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud (Id) 15 A | ||
Maximální napětí na zdroji (Vds) 1 kV | ||
Typ balení TO-247 | ||
Počet kolíků 3 | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Počet prvků na čip 1 | ||
Konfigurace tranzistoru Jednoduchý | ||
Přímé napětí (Vf) 1.4 V | ||
Výška 16.26 mm | ||
Délka 16.26 mm | ||
Maximální odpor zdroje (Rds) 1.05 Ω | ||
Maximální napětí zdroje brány (Vgs) -30 V, +30 V | ||
Maximální provozní teplota 150 °C | ||
Maximální ztrátový výkon (Pd) 690 W | ||
Minimální provozní teplota -55 °C | ||
Typ montáže Průchozí otvor, Průchozí otvor | ||
Normy/schválení No | ||
Typický náboj brány (Qg) @ Vgs 64 nC | ||
Šířka 5.3 mm | ||
- Země původu (Country of Origin):
- US
N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Q3 Series
The IXYS Q3 class of HiperFET™ Power MOSFETs are suitable for both hard switching and resonant mode applications, and offer low gate charge with exceptional ruggedness. The devices incorporate a fast intrinsic diode and are available in a variety of industry-standard packages including isolated types, with ratings of up to 1100V and 70A. Typical applications include DC-DC converters, battery chargers, switch-mode and resonant-mode power supplies, DC Choppers, temperature and lighting control.
Fast intrinsic rectifier diode
Low RDS(on) and QG (gate charge)
Low intrinsic gate resistance
Industry standard packages
Low package inductance
High power density
MOSFET Transistors, IXYS
A wide range of Advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS
Související odkazy
- řada: HiperFET TO-247, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HiperFET TO-247, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HiperFET TO-247, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HiperFET TO-247, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HiperFET TO-247, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HiperFET TO-247, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HiperFET TO-247, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HiperFET TO-247, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení