řada: HiperFET, Q3-Class MOSFET IXFH15N100Q3 Typ N, Typ N-kanálový 15 A 1000 V, TO-247, počet kolíků: 3 kolíkový IXYS

Momentálně nedostupné
Nevíme, zda bude tato položka opět skladem, RS ji hodlá brzy odstranit z naší nabídky.
Skladové číslo RS:
920-0969
Výrobní číslo:
IXFH15N100Q3
Výrobce:
IXYS
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

IXYS

Typ kanálu

Typ N, Typ N

Typ produktu

MOSFET

Maximální trvalý vypouštěcí proud Id

15A

Maximální napětí na zdroji Vds

1000V

Řada

HiperFET, Q3-Class

Typ balení

TO-247

Typ montáže

Průchozí otvor, Průchozí otvor

Počet kolíků

3

Maximální odpor zdroje Rds

1.05Ω

Režim kanálu

Vylepšení

Minimální provozní teplota

-55°C

Typický náboj brány Qg @ Vgs

64nC

Maximální ztrátový výkon Pd

690W

Přímé napětí Vf

1.4V

Maximální napětí zdroje brány Vgs

30V

Maximální provozní teplota

150°C

Konfigurace tranzistoru

Jednoduchý

Délka

16.26mm

Šířka

5.3mm

Normy/schválení

No

Výška

16.26mm

Počet prvků na čip

1

Automobilový standard

Ne

Země původu (Country of Origin):
US

N-kanálový výkonový MOSFET, řada IXYS HiperFETTM Q3


Třída IXYS Q3 výkonových MOSFET HiperFETTM je vhodná pro hard-switching i rezonantní režimy a nabízí nízké nabití hradla s výjimečnou odolností. Zařízení obsahují rychlou vnitřní diodu a jsou k dispozici v různých průmyslových standardních pouzdrech včetně izolovaných typů s jmenovitými napětími až 1100 V a 70 A. Mezi typické aplikace patří měniče DC/DC, nabíječky baterií, spínané a rezonantní napájecí zdroje, DC choppery, regulace teploty a osvětlení.

Rychlá vnitřní usměrňovací dioda

Nízký RDS(on) a QG (nabíjení brány)

Nízký vnitřní odpor hradla

Průmyslová standardní pouzdra

Nízká induktivita pouzdra

Vysoká hustota výkonu

Tranzistory MOSFET, IXYS


Široká škála pokročilých diskriminačních výkonových zařízení MOSFET od společnosti IXYS

Související odkazy

Buďte první u novinek ze světa RS

Váš e-mail

Osobní údaje, které nám poskytnete při registraci do mailing listu, budou zpracovány v souladu s našimi Zásadami ochrany osobních údajů.