řada: HiperFET, Q3-Class MOSFET IXFH30N50Q3 N-kanálový 30 A 500 V IXYS, TO-247, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení

Získejte množstevní slevu na nákup

Přidejte dalších 6 kusů a ušetřete 160,02 Kč

Zobrazit možnosti hromadného nacenění

Mezisoučet (1 jednotka)*

329,99 Kč

(bez DPH)

399,29 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Skladem
  • Plus 255 jednotka(y) budou odesílané od 17. listopadu 2026
  • Plus 258 jednotka(y) budou odesílané od 20. listopadu 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.

Ks
za jednotku
Úspora
1 - 5329,99 Kč-
6 - 14303,32 Kč160,02 Kč
15 +287,76 Kč633,45 Kč

*orientační cena

Typy balení:
Skladové číslo RS:
801-1386
Číslo zboží společnosti Distrelec:
302-53-319
Výrobní číslo:
IXFH30N50Q3
Výrobce:
IXYS
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

IXYS

Typ produktu

MOSFET

Typ kanálu

N

Maximální trvalý vypouštěcí proud Id

30A

Maximální napětí na zdroji Vds

500V

Typ balení

TO-247

Řada

HiperFET, Q3-Class

Typ montáže

Průchozí otvor

Počet kolíků

3

Maximální odpor zdroje Rds

200mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální ztrátový výkon Pd

690W

Minimální provozní teplota

-55°C

Typický náboj brány Qg @ Vgs

62nC

Přímé napětí Vf

1.4V

Maximální napětí zdroje brány Vgs

-20V, +20V

Maximální provozní teplota

150°C

Délka

16.26mm

Normy/schválení

No

Šířka

5.3mm

Výška

16.26mm

Automobilový standard

Ne

N-kanálový výkon MOSFET, IXYS HiperFET™ řady Q


IXYS Q3 třídy výkonových tranzistorů MOSFET HiperFET™ jsou vhodné pro použití v režimu silného i rezonančního provozu a nabízejí nízké nabití brány s výjimečnou robustností. Přístroje obsahují rychlou vnitřní diodu a jsou k dispozici v řadě standardních balení, včetně izolovaných typů, s hodnocením až 1100V a 70A. Typické aplikace zahrnují měniče DC-DC, nabíječky baterií, režimy přepínání a rezonanční napájecí zdroje, měniče DC, ovládání teploty a osvětlení.

Rychle zabudovaná usměrňovací dioda

Nízká úroveň RDS(on) a QG (nabíjení brány)

Nízký vnitřní odpor brány

Balení podle průmyslových norem

Nízká indukčnost součástky

Vysoká hustota výkonu

Tranzistory MOSFET, IXYS


Široká nabídka Advanced diskrétní tranzistorových MOSFET od společnosti IXYS

Související odkazy

Buďte první u novinek ze světa RS

Váš e-mail

Osobní údaje, které nám poskytnete při registraci do mailing listu, budou zpracovány v souladu s našimi Zásadami ochrany osobních údajů.