řada: HiperFET, Q3-Class MOSFET IXFH70N20Q3 Typ N-kanálový 70 A 200 V IXYS, TO-247, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení

Zobrazit vše v kategorii MOSFET

Mezisoučet (1 jednotka)*

381,62 Kč

(bez DPH)

461,76 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Skladem
  • Plus 358 jednotka(y) budou odesílané od 02. března 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks
za jednotku
1 +381,62 Kč

*orientační cena

Typy balení:
Skladové číslo RS:
801-1392
Výrobní číslo:
IXFH70N20Q3
Výrobce:
IXYS
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

IXYS

Typ produktu

MOSFET

Typ kanálu

Typ N

Maximální trvalý vypouštěcí proud Id

70A

Maximální napětí na zdroji Vds

200V

Typ balení

TO-247

Řada

HiperFET, Q3-Class

Typ montáže

Průchozí otvor

Počet kolíků

3

Maximální odpor zdroje Rds

40mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Typický náboj brány Qg @ Vgs

67nC

Maximální napětí zdroje brány Vgs

20 V

Minimální provozní teplota

-55°C

Maximální ztrátový výkon Pd

690W

Přímé napětí Vf

1.5V

Maximální provozní teplota

150°C

Výška

16.26mm

Šířka

5.3 mm

Délka

16.26mm

Normy/schválení

No

Automobilový standard

Ne

N-kanálový výkon MOSFET, IXYS HiperFET™ řady Q


IXYS Q3 třídy výkonových tranzistorů MOSFET HiperFET™ jsou vhodné pro použití v režimu silného i rezonančního provozu a nabízejí nízké nabití brány s výjimečnou robustností. Přístroje obsahují rychlou vnitřní diodu a jsou k dispozici v řadě standardních balení, včetně izolovaných typů, s hodnocením až 1100V a 70A. Typické aplikace zahrnují měniče DC-DC, nabíječky baterií, režimy přepínání a rezonanční napájecí zdroje, měniče DC, ovládání teploty a osvětlení.

Rychle zabudovaná usměrňovací dioda

Nízká úroveň RDS(on) a QG (nabíjení brány)

Nízký vnitřní odpor brány

Balení podle průmyslových norem

Nízká indukčnost součástky

Vysoká hustota výkonu

Tranzistory MOSFET, IXYS


Široká nabídka Advanced diskrétní tranzistorových MOSFET od společnosti IXYS

Související odkazy