řada: HiperFET, Q3-Class MOSFET IXFH70N20Q3 Typ N-kanálový 70 A 200 V IXYS, TO-247, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení

Mezisoučet (1 jednotka)*

381,62 Kč

(bez DPH)

461,76 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Skladem
  • 301 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks
za jednotku
1 +381,62 Kč

*orientační cena

Typy balení:
Skladové číslo RS:
801-1392
Výrobní číslo:
IXFH70N20Q3
Výrobce:
IXYS
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

IXYS

Typ produktu

MOSFET

Typ kanálu

Typ N

Maximální trvalý vypouštěcí proud Id

70A

Maximální napětí na zdroji Vds

200V

Řada

HiperFET, Q3-Class

Typ balení

TO-247

Typ montáže

Průchozí otvor

Počet kolíků

3

Maximální odpor zdroje Rds

40mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Minimální provozní teplota

-55°C

Maximální ztrátový výkon Pd

690W

Přímé napětí Vf

1.5V

Typický náboj brány Qg @ Vgs

67nC

Maximální provozní teplota

150°C

Výška

16.26mm

Normy/schválení

No

Délka

16.26mm

Automobilový standard

Ne

N-kanálový výkon MOSFET, IXYS HiperFET™ řady Q


IXYS Q3 třídy výkonových tranzistorů MOSFET HiperFET™ jsou vhodné pro použití v režimu silného i rezonančního provozu a nabízejí nízké nabití brány s výjimečnou robustností. Přístroje obsahují rychlou vnitřní diodu a jsou k dispozici v řadě standardních balení, včetně izolovaných typů, s hodnocením až 1100V a 70A. Typické aplikace zahrnují měniče DC-DC, nabíječky baterií, režimy přepínání a rezonanční napájecí zdroje, měniče DC, ovládání teploty a osvětlení.

Rychle zabudovaná usměrňovací dioda

Nízká úroveň RDS(on) a QG (nabíjení brány)

Nízký vnitřní odpor brány

Balení podle průmyslových norem

Nízká indukčnost součástky

Vysoká hustota výkonu

Tranzistory MOSFET, IXYS


Široká nabídka Advanced diskrétní tranzistorových MOSFET od společnosti IXYS

Související odkazy

Buďte první u novinek ze světa RS

Váš e-mail

Osobní údaje, které nám poskytnete při registraci do mailing listu, budou zpracovány v souladu s našimi Zásadami ochrany osobních údajů.