řada: HiperFET, Q3-Class MOSFET IXFH70N20Q3 N-kanálový 70 A 200 V IXYS, TO-247, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 801-1392
- Výrobní číslo:
- IXFH70N20Q3
- Výrobce:
- IXYS
Mezisoučet (1 jednotka)*
426,32 Kč
(bez DPH)
515,85 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- Plus 227 jednotka(y) budou odesílané od 16. listopadu 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku |
|---|---|
| 1 + | 426,32 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 801-1392
- Výrobní číslo:
- IXFH70N20Q3
- Výrobce:
- IXYS
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | IXYS | |
| Typ kanálu | N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 70A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 200V | |
| Typ balení | TO-247 | |
| Řada | HiperFET, Q3-Class | |
| Typ montáže | Průchozí otvor | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 40mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 67nC | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 690W | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | -20V, +20V | |
| Přímé napětí Vf | 1.5V | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Šířka | 5.3mm | |
| Normy/schválení | No | |
| Délka | 16.26mm | |
| Výška | 16.26mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka IXYS | ||
Typ kanálu N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 70A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 200V | ||
Typ balení TO-247 | ||
Řada HiperFET, Q3-Class | ||
Typ montáže Průchozí otvor | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 40mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 67nC | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 690W | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs -20V, +20V | ||
Přímé napětí Vf 1.5V | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Šířka 5.3mm | ||
Normy/schválení No | ||
Délka 16.26mm | ||
Výška 16.26mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
N-kanálový výkon MOSFET, IXYS HiperFET™ řady Q
IXYS Q3 třídy výkonových tranzistorů MOSFET HiperFET™ jsou vhodné pro použití v režimu silného i rezonančního provozu a nabízejí nízké nabití brány s výjimečnou robustností. Přístroje obsahují rychlou vnitřní diodu a jsou k dispozici v řadě standardních balení, včetně izolovaných typů, s hodnocením až 1100V a 70A. Typické aplikace zahrnují měniče DC-DC, nabíječky baterií, režimy přepínání a rezonanční napájecí zdroje, měniče DC, ovládání teploty a osvětlení.
Rychle zabudovaná usměrňovací dioda
Nízká úroveň RDS(on) a QG (nabíjení brány)
Nízký vnitřní odpor brány
Balení podle průmyslových norem
Nízká indukčnost součástky
Vysoká hustota výkonu
Tranzistory MOSFET, IXYS
Široká nabídka Advanced diskrétní tranzistorových MOSFET od společnosti IXYS
Související odkazy
- řada: HiperFET TO-247, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HiperFET TO-247, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HiperFET TO-247, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HiperFET TO-247, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HiperFET TO-247, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HiperFET TO-247, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HiperFET TO-247, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HiperFET TO-247, počet kolíků: 3 kolíkový IXYS Vylepšení 1