řada: LogicFET MOSFET Typ N-kanálový 130 A 40 V Infineon, TO-220, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení

Skladové číslo RS:: 919-4943
Výrobní číslo:: IRL1004PBF
Výrobce:: Infineon

řada: LogicFET MOSFET Typ N-kanálový 130 A 40 V Infineon, TO-220, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení

Mezisoučet (1 tuba po 50 kusech)*

2 534,20 Kč

(bez DPH)

3 066,40 Kč

(s DPH)

Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč

Skladem

Plus 300 jednotka(y) budou odesílané od 17. srpna 2026

Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.

Ks	za jednotku	za tubu*
50 +	50,684 Kč	2 534,20 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:: 919-4943
Výrobní číslo:: IRL1004PBF
Výrobce:: Infineon

Specifikace

Technické reference

Legislativa a životní prostředí

Podrobnosti o výrobku

Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.

Vybrat vše	Atribut	Hodnota
	Značka	Infineon
	Typ produktu	MOSFET
	Typ kanálu	Typ N
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id	130A
	Maximální napětí na zdroji Vds	40V
	Typ balení	TO-220
	Řada	LogicFET
	Typ montáže	Průchozí otvor
	Počet kolíků	3
	Maximální odpor zdroje Rds	7mΩ
	Režim kanálu	Vylepšení
	Minimální provozní teplota	-55°C
	Maximální ztrátový výkon Pd	200W
	Přímé napětí Vf	1.3V
	Typický náboj brány Qg @ Vgs	100nC
	Maximální provozní teplota	175°C
	Výška	8.77mm
	Normy/schválení	No
	Délka	10.54mm
	Automobilový standard	Ne

	Vybrat vše
	Značka Infineon
	Typ produktu MOSFET
	Typ kanálu Typ N
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 130A
	Maximální napětí na zdroji Vds 40V
	Typ balení TO-220
	Řada LogicFET
	Typ montáže Průchozí otvor
	Počet kolíků 3
	Maximální odpor zdroje Rds 7mΩ
	Režim kanálu Vylepšení
	Minimální provozní teplota -55°C
	Maximální ztrátový výkon Pd 200W
	Přímé napětí Vf 1.3V
	Typický náboj brány Qg @ Vgs 100nC
	Maximální provozní teplota 175°C
	Výška 8.77mm
	Normy/schválení No
	Délka 10.54mm
	Automobilový standard Ne

Pro stažení CAD modelů je nutné se přihlásit

Země původu (Country of Origin):: CN

MOSFETy řady Infineon LogicFET, maximální trvalý proud 130 A, maximální ztrátový výkon 200 W - IRL1004PBF

Tento vysoce výkonný tranzistor MOSFET využívá technologii Si a je určen pro efektivní řízení spotřeby v různých elektronických aplikacích. N-kanálová struktura s vylepšeným režimem zajišťuje efektivní provoz, takže je vhodný pro moderní automatizační a elektrické systémy, zejména v obvodech s vysokým výkonem.

Vlastnosti a výhody

• Trvalá proudová zatížitelnost až 130 A

• Maximální napětí drain-source 40 V zajišťující robustní výkon

• Nízký Rds(on) 7mΩ pro snížení tvorby tepla

• Vysoká tepelná stabilita s maximální provozní teplotou +175 °C

• Kompaktní pouzdro TO-220AB umožňuje všestranné možnosti montáže

Aplikace

• Vysoce účinné napájecí obvody

• Automobilové a průmyslové automatizační systémy

• Systémy řízení a přeměny energie

Jak se Rds(on) podílí na účinnosti zařízení?

Nízké Rds(on) 7mΩ minimalizuje ztráty energie během provozu, čímž snižuje zahřívání a zvyšuje celkovou účinnost v energetických aplikacích.

Jaký význam má rozsah provozní teploty?

Zařízení je schopno pracovat v širokém teplotním rozsahu od -55 °C do +175 °C, což zajišťuje spolehlivý výkon v různých podmínkách prostředí a minimalizuje riziko tepelného selhání.

Lze jej použít pro vysokofrekvenční spínací aplikace?

Ano, je navržen pro rychlé přepínání, takže je vhodný pro vysokofrekvenční operace, čímž zvyšuje výkon v komunikačních a řídicích systémech.

Jaké aspekty je třeba zohlednit při instalaci?

Používejte vhodné techniky tepelného managementu, například vhodný chladič, protože výkonná zařízení potřebují účinný odvod tepla, aby byla zachována jejich funkčnost a spolehlivost.

Co se stane, když napětí na hradle překročí maximální jmenovitou hodnotu?

Překročení maximálního napětí na zdroji hradla může mít za následek selhání zařízení, proto je důležité dodržet stanovené limity, aby byla zajištěna dlouhá životnost a zabránilo se poškození.