řada: HEXFET MOSFET N-kanálový 130 A 100 V Infineon, TO-220, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 913-3979
- Výrobní číslo:
- IRFB4310PBF
- Výrobce:
- Infineon
Získejte množstevní slevu na nákup
Přidejte dalších 100 kusů a ušetřete 915,90 Kč
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 tuba po 50 kusech)*
2 543,35 Kč
(bez DPH)
3 077,45 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Dočasně vyprodáno
- Odeslání od 08. ledna 2027
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za tubu* | Úspora |
|---|---|---|---|
| 50 - 50 | 50,867 Kč | 2 543,35 Kč | - |
| 100 - 200 | 41,708 Kč | 2 085,40 Kč | 915,90 Kč |
| 250 + | 39,164 Kč | 1 958,20 Kč | 2 925,75 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 913-3979
- Výrobní číslo:
- IRFB4310PBF
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 130A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 100V | |
| Typ balení | TO-220 | |
| Řada | HEXFET | |
| Typ montáže | Průchozí otvor | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 7mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | -20V, +20V | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 170nC | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 300W | |
| Přímé napětí Vf | 1.3V | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Délka | 10.66mm | |
| Normy/schválení | No | |
| Výška | 9.02mm | |
| Šířka | 4.82mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 130A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 100V | ||
Typ balení TO-220 | ||
Řada HEXFET | ||
Typ montáže Průchozí otvor | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 7mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs -20V, +20V | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 170nC | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 300W | ||
Přímé napětí Vf 1.3V | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Délka 10.66mm | ||
Normy/schválení No | ||
Výška 9.02mm | ||
Šířka 4.82mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
- Země původu (Country of Origin):
- MX
MOSFETy Infineon řady HEXFET, maximální trvalý proud 130 A, maximální ztrátový výkon 300 W - IRFB4310PBF
Tento robustní a účinný výkonový tranzistor je určen pro vysoce výkonné aplikace v automatizaci, elektronice a elektrotechnickém průmyslu. N-kanálová technologie přináší výhody v oblasti správy napájení a spínacích schopností. Rozsah provozních teplot od -55 °C do +175 °C zvyšuje jeho univerzálnost a spolehlivost v různých prostředích.
Vlastnosti a výhody
• Podporuje až 130 A trvalého odtokového proudu pro značné nároky na zátěž
• Pracuje s maximálním napětím 100 V pro lepší užitné vlastnosti
• Nízký RDS(on) 7 mΩ minimalizuje ztráty výkonu
• Funkce režimu vylepšení pro zvýšení účinnosti
• Integrovaná odolnost s lavinovými a dynamickými schopnostmi dV/dt
• Plně charakterizovaná kapacita pro přesnou optimalizaci výkonu
Aplikace
• Používá se v systémech synchronního usměrňování s vysokou účinností
• Použití v nepřerušitelných zdrojích napájení pro spolehlivé zálohování energie
• Vhodné pro vysokorychlostní výkonové spínací obvody
• Určeno pro pevně spínané a vysokofrekvenční sítě
Jak ovlivňuje nízká hodnota RDS(on) účinnost?
Nízká hodnota RDS(on) snižuje produkci tepla během provozu, což vede ke zvýšení účinnosti dodávky energie.
Jaký význam má lavinová schopnost?
Lavinová schopnost chrání zařízení před nadměrnými napěťovými špičkami a podporuje stabilní výkon v náročných podmínkách.
Lze toto zařízení použít ve vysokofrekvenčních aplikacích?
Ano, tento tranzistor MOSFET je určen pro vysokofrekvenční obvody, takže je vhodný pro různé pokročilé aplikace.
Jaký maximální proud zvládne při zvýšené teplotě?
Při teplotě pouzdra 100 °C může maximální trvalý proud na výstupu dosáhnout 92 A, což zajišťuje spolehlivý výkon.
Jak by měl být namontován, aby měl optimální výkon?
Doporučujeme zařízení namontovat na rovný namazaný povrch, aby se maximalizoval přenos tepla do chladiče.
Související odkazy
- řada: HEXFET MOSFET IRFB4310PBF N-kanálový 130 A 100 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET N-kanálový 130 A 100 V Infineon, TO-220
- řada: HEXFET MOSFET IRFS4310TRLPBF N-kanálový 130 A 100 V Infineon, TO-220
- řada: HEXFET MOSFET N-kanálový 130 A 200 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET IRFP4668PBF N-kanálový 130 A 200 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET N-kanálový 180 A 100 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET N-kanálový 51 A 55 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET N-kanálový 25 A 200 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení