řada: HEXFET MOSFET IRFS4310TRLPBF Typ N-kanálový 130 A 100 V Infineon, TO-220
- Skladové číslo RS:
- 257-5795
- Výrobní číslo:
- IRFS4310TRLPBF
- Výrobce:
- Infineon
Využijte množstevní slevu
Mezisoučet (1 balení po 2 kusech)*
208,87 Kč
(bez DPH)
252,732 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 500,00 Kč
Dočasně vyprodáno
- Odeslání od 05. června 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 104,435 Kč | 208,87 Kč |
| 20 - 48 | 93,985 Kč | 187,97 Kč |
| 50 - 98 | 87,685 Kč | 175,37 Kč |
| 100 - 198 | 81,385 Kč | 162,77 Kč |
| 200 + | 75,335 Kč | 150,67 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 257-5795
- Výrobní číslo:
- IRFS4310TRLPBF
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 130A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 100V | |
| Typ balení | TO-220 | |
| Řada | HEXFET | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 7mΩ | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Přímé napětí Vf | 1.3V | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 20 V | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 170nC | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 330W | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Normy/schválení | RoHS | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 130A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 100V | ||
Typ balení TO-220 | ||
Řada HEXFET | ||
Typ montáže Povrch | ||
Maximální odpor zdroje Rds 7mΩ | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Přímé napětí Vf 1.3V | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 20 V | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 170nC | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 330W | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Normy/schválení RoHS | ||
Automobilový standard Ne | ||
Infineon MOSFET je vylepšená brána, lavinová a dynamická odolnost dV/dt a plně charakterizovaná kapacitní a lavinová SOA.
Vysoce účinná synchronní usměrňování
Bezolovnatý
Související odkazy
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 130 A 100 V Infineon, TO-220
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 130 A 100 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET IRFB4310PBF Typ N-kanálový 130 A 100 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 127 A 100 V Infineon, TO-220
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 80 A 100 V Infineon, TO-220
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 62 A 100 V Infineon, TO-220
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 192 A 100 V Infineon, TO-220
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 130 A 40 V Infineon, TO-252