řada: HEXFET MOSFET N-kanálový 62 A 100 V Infineon, TO-220

Získejte množstevní slevu na nákup

Přidejte dalších 200 kusů a ušetřete 269,60 Kč

Zobrazit možnosti hromadného nacenění

Mezisoučet (1 tuba po 100 kusech)*

2 699,70 Kč

(bez DPH)

3 266,60 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Skladem
  • Plus 600 jednotka(y) budou odesílané od 07. listopadu 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.

Ks
za jednotku
za tubu*
Úspora
100 - 10026,997 Kč2 699,70 Kč-
200 - 40025,649 Kč2 564,90 Kč269,60 Kč
500 - 90024,567 Kč2 456,70 Kč1 215,00 Kč
1000 - 190023,487 Kč2 348,70 Kč3 510,00 Kč
2000 +21,869 Kč2 186,90 Kč10 256,00 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:
257-9350
Výrobní číslo:
IRFB4510PBF
Výrobce:
Infineon
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

Infineon

Typ kanálu

N

Typ produktu

MOSFET

Maximální trvalý vypouštěcí proud Id

62A

Maximální napětí na zdroji Vds

100V

Typ balení

TO-220

Řada

HEXFET

Typ montáže

Průchozí otvor

Maximální odpor zdroje Rds

15mΩ

Přímé napětí Vf

1.3V

Normy/schválení

No

Automobilový standard

Ne

Řada Infineon IRFB je 100V jednoduchý nkanálový výkonný IRFET mosfet v pouzdru TO 220. Výkonná řada IRFET Power Mosfet je optimalizována pro nízký RDS (zapnutí) a vysoký proud. Zařízení jsou ideální pro aplikace s nízkou frekvencí vyžadující výkon a odolnost. Rozsáhlé portfolio se zaměřuje na širokou škálu aplikací včetně stejnosměrných motorů, systémů řízení baterií, měničů a měničů DC/DC.

Průmyslové standardní zásuvkové pouzdro s průchozím otvorem

Vysoký jmenovitý proud

Kvalifikace produktu podle normy JEDEC

Křemík optimalizovaný pro aplikace spínání pod 100 kHz

Měkčí dioda těla ve srovnání s předchozí křemíkovou generací

K dispozici široké portfolio

Související odkazy

Buďte první u novinek ze světa RS

Váš e-mail

Osobní údaje, které nám poskytnete při registraci do mailing listu, budou zpracovány v souladu s našimi Zásadami ochrany osobních údajů.