řada: HEXFETMOSFET IRLB8721PBF N-kanálový 62 A 30 V, TO-220AB, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si

Skladové číslo RS:: 913-4036
Výrobní číslo:: IRLB8721PBF
Výrobce:: Infineon

řada: HEXFETMOSFET IRLB8721PBF N-kanálový 62 A 30 V, TO-220AB, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si

Využijte množstevní slevu

Mezisoučet (1 tuba po 50 kusech)*

892,50 Kč

(bez DPH)

1 080,00 Kč

(s DPH)

Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 500,00 Kč

Skladem

300 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Plus 50 jednotka(y) budou odesílané od 06. srpna 2025

Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.

Ks	za jednotku	za tubu*
50 - 50	17,85 Kč	892,40 Kč
100 - 200	13,21 Kč	660,35 Kč
250 - 450	12,32 Kč	616,00 Kč
500 - 1200	11,43 Kč	571,40 Kč
1250 +	10,53 Kč	526,55 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:: 913-4036
Výrobní číslo:: IRLB8721PBF
Výrobce:: Infineon

MOSFETy Infineon řady HEXFET, 30V maximální napětí na zdroji, 62A maximální trvalý proud na zdroji - IRLB8721PBF

Tento tranzistor MOSFET je vysoce výkonné spínací zařízení přizpůsobené pro různé aplikace v elektronice a automatizaci. Díky robustnímu pouzdru TO-220AB má trvalou proudovou kapacitu 62 A a zvládne maximální napětí 30 V. Zařízení pracuje efektivně v širokém teplotním rozsahu od -55 °C do +175 °C, takže je vhodné i do náročných prostředí.

Charakteristiky a výhody

• Podporuje vysokofrekvenční synchronní měniče s buckem
• Navrženo pro efektivní využití vysokého proudu
• Plně charakterizované lavinové napětí a proud
• Minimální náboj hradla zvyšuje spínací výkon
• Všestranné možnosti montáže zjednodušují integraci do návrhů

Aplikace

• Používá se v systémech UPS a střídačích
• Efektivní ve vysokofrekvenčních izolovaných měničích DC-DC
• Vhodné pro synchronní usměrnění v průmyslových řešeních
• Klíčová součást napájecích zdrojů počítačových procesorů

Jaký význam má nízká hodnota Rds(on) zařízení?

Nízké Rds(on) výrazně snižuje ztráty při vedení, čímž zlepšuje celkovou účinnost v aplikacích pro konverzi energie, což je zásadní pro zachování výkonu při provozu s vysokým proudem.

Jak ovlivňuje maximální prahové napětí hradla výkon zařízení?

Rozsah prahového napětí hradla od 1,35 V do 2,35 V zajišťuje, že zařízení lze spolehlivě řídit v různých aplikacích, a poskytuje tak flexibilitu při integraci s různými řídicími obvody.

Jaká hlediska je třeba brát v úvahu při řízení tepla v aplikacích?

Vzhledem k maximálnímu ztrátovému výkonu 65 W je třeba zavést vhodné strategie tepelného managementu, jako je použití vhodného chladiče, aby se zabránilo přehřátí a zajistil se spolehlivý provoz.

Lze tento MOSFET použít v automobilových aplikacích?

Ano, je navržen tak, aby efektivně pracoval v prostředí s vysokými teplotami, takže je vhodný pro aplikace v automobilovém průmyslu, kde je problémem tepelná variabilita.

Tranzistory MOSFET, Infineon

Společnost Infineon nabízí velké a komplexní portfolio zařízení MOSFET, které zahrnuje rodiny CoolMOS, OptiMOS a StrongIRFET. Poskytují nejlepší výkon ve své třídě, který přináší vyšší efektivitu, hustotu energie a efektivitu nákladů. Návrhy vyžadující vysoce kvalitní a vylepšené funkce ochrany využívají standardy MOSFET AEC-Q101, které byly schváleny automobilovým průmyslem.

Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.

Vybrat vše	Atribut	Hodnota
	Značka	Infineon
	Typ kanálu	N
	Maximální stejnosměrný odběrový proud	62 A
	Maximální napětí kolektor/zdroj	30 V
	Series	HEXFET
	Typ balení	TO-220AB
	Typ montáže	Průchozí otvor
	Počet kolíků	3
	Maximální odpor kolektor/zdroj	9 mΩ
	Režim kanálu	Vylepšení
	Maximální prahové napětí řídicí elektrody	2.35V
	Minimální prahové napětí řídicí elektrody	1.35V
	Maximální ztrátový výkon	65 W
	Konfigurace tranzistoru	Jednoduchý
	Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj	-20 V, +20 V
	Počet prvků na čip	1
	Materiál tranzistoru	Si
	Maximální pracovní teplota	+175 °C
	Šířka	4.83mm
	Délka	10.67mm
	Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs	7,6 nC při 4,5 V
	Minimální provozní teplota	-55 °C
	Výška	9.02mm

	Vybrat vše
	Značka Infineon
	Typ kanálu N
	Maximální stejnosměrný odběrový proud 62 A
	Maximální napětí kolektor/zdroj 30 V
	Series HEXFET
	Typ balení TO-220AB
	Typ montáže Průchozí otvor
	Počet kolíků 3
	Maximální odpor kolektor/zdroj 9 mΩ
	Režim kanálu Vylepšení
	Maximální prahové napětí řídicí elektrody 2.35V
	Minimální prahové napětí řídicí elektrody 1.35V
	Maximální ztrátový výkon 65 W
	Konfigurace tranzistoru Jednoduchý
	Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj -20 V, +20 V
	Počet prvků na čip 1
	Materiál tranzistoru Si
	Maximální pracovní teplota +175 °C
	Šířka 4.83mm
	Délka 10.67mm
	Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs 7,6 nC při 4,5 V
	Minimální provozní teplota -55 °C
	Výška 9.02mm