řada: LogicFET MOSFET IRL520NPBF N-kanálový 10 A 100 V Infineon, TO-220, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení

Skladové číslo RS:: 541-1196
Číslo zboží společnosti Distrelec:: 303-41-391
Výrobní číslo:: IRL520NPBF
Výrobce:: Infineon

řada: LogicFET MOSFET IRL520NPBF N-kanálový 10 A 100 V Infineon, TO-220, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení

Momentálně nedostupné

Litujeme, nevíme, kdy tato položka bude opět skladem.

Skladové číslo RS:: 541-1196
Číslo zboží společnosti Distrelec:: 303-41-391
Výrobní číslo:: IRL520NPBF
Výrobce:: Infineon

Specifikace

Technické reference

Legislativa a životní prostředí

Podrobnosti o výrobku

Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.

Vybrat vše	Atribut	Hodnota
	Značka	Infineon
	Typ produktu	MOSFET
	Typ kanálu	N
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id	10A
	Maximální napětí na zdroji Vds	100V
	Řada	LogicFET
	Typ balení	TO-220
	Typ montáže	Průchozí otvor
	Počet kolíků	3
	Maximální odpor zdroje Rds	180mΩ
	Režim kanálu	Vylepšení
	Maximální ztrátový výkon Pd	48W
	Přímé napětí Vf	1.3V
	Maximální napětí zdroje brány Vgs	16V
	Minimální provozní teplota	-55°C
	Typický náboj brány Qg @ Vgs	20nC
	Maximální provozní teplota	175°C
	Normy/schválení	No
	Délka	10.54mm
	Výška	8.77mm
	Šířka	4.69mm
	Automobilový standard	Ne

	Vybrat vše
	Značka Infineon
	Typ produktu MOSFET
	Typ kanálu N
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 10A
	Maximální napětí na zdroji Vds 100V
	Řada LogicFET
	Typ balení TO-220
	Typ montáže Průchozí otvor
	Počet kolíků 3
	Maximální odpor zdroje Rds 180mΩ
	Režim kanálu Vylepšení
	Maximální ztrátový výkon Pd 48W
	Přímé napětí Vf 1.3V
	Maximální napětí zdroje brány Vgs 16V
	Minimální provozní teplota -55°C
	Typický náboj brány Qg @ Vgs 20nC
	Maximální provozní teplota 175°C
	Normy/schválení No
	Délka 10.54mm
	Výška 8.77mm
	Šířka 4.69mm
	Automobilový standard Ne

Pro stažení CAD modelů je nutné se přihlásit

MOSFETy řady Infineon LogicFET, maximální trvalý proud na odtoku 10 A, maximální ztrátový výkon 48 W - IRL520NPBF

Tento MOSFET je určen pro různé aplikace s vysokým výkonem. Díky své N-kanálové konfiguraci a schopnosti režimu zesílení je vhodný pro spínací a zesilovací úlohy v automatizaci a elektrotechnice. S maximálním trvalým proudem na drenážích 10 A a maximálním napětím na drenážích 100 V poskytuje konzistentní výkon v náročných prostředích. Pouzdro typu TO-220AB umožňuje efektivní řízení tepla v různých montážních situacích.

Vlastnosti a výhody

• Vysoká kapacita rozptylu energie 48 W pro robustní výkon

• Nízký odpor 180 mΩ zvyšuje účinnost

• Široký rozsah provozních teplot od -55 °C do +175 °C zajišťuje spolehlivost

• Vhodné pro průchozí montáž, což usnadňuje integraci

• Zvýšené prahové napětí hradla mezi 1V a 2V optimalizuje řízení

• Konfigurace s jedním tranzistorem zjednodušuje návrh a montáž

Aplikace

• Využívá se v napájecích obvodech pro účinnou regulaci napětí

• Používá se v řídicích systémech motorů díky své vysoké proudové kapacitě

• Použitelné v průmyslové automatizaci pro efektivní spínání

• Integrace do řešení pro správu napájení pro energeticky úsporné konstrukce

Jaký typ chlazení se doporučuje pro optimální výkon?

Účinné chlazení je nezbytné pro zachování provozní účinnosti a zabránění přehřátí, zejména při vysokém zatížení.

Lze jej přímo nahradit jinými tranzistory MOSFET?

I když je možná přímá náhrada, je pro zajištění kompatibility a funkčnosti nezbytné zohlednit specifikace, jako jsou jmenovité hodnoty proudu a napětí, a také požadavky na pohon hradel.

Jaké je doporučené maximální napětí na hradle a zdroji?

Maximální napětí na hradle a zdroji by nemělo překročit -16 V až +16 V, aby nedošlo k poškození zařízení a byl zajištěn spolehlivý provoz.

Jak mám s tímto MOSFETem zacházet při instalaci?

Používejte opatření proti elektrostatickému výboji (ESD) a zajistěte bezpečné připojení, abyste předešli poruchám nebo přerušovanému provozu po instalaci do obvodu.

Je vhodný pro vysokofrekvenční aplikace?

Tento MOSFET je vhodný pro spínací aplikace, ale je třeba dbát na rychlost pohonu hradla a podmínky zatížení, aby nedošlo ke zhoršení výkonu při vyšších frekvencích.