řada: LogicFET MOSFET IRL2505PBF Typ N, Typ N-kanálový 104 A 55 V, JEDEC TO-220AB, počet kolíků: 3 kolíkový Infineon

Zobrazit vše v kategorii MOSFET
Momentálně nedostupné
Nevíme, zda bude tato položka opět skladem, RS ji hodlá brzy odstranit z naší nabídky.
Skladové číslo RS:
913-3869
Výrobní číslo:
IRL2505PBF
Výrobce:
Infineon
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

Infineon

Typ kanálu

Typ N, Typ N

Typ produktu

MOSFET

Maximální trvalý vypouštěcí proud Id

104A

Maximální napětí na zdroji Vds

55V

Řada

LogicFET

Typ balení

JEDEC TO-220AB

Typ montáže

Průchozí otvor, Průchozí otvor

Počet kolíků

3

Maximální odpor zdroje Rds

8mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Typický náboj brány Qg @ Vgs

130nC

Přímé napětí Vf

1.3V

Maximální ztrátový výkon Pd

200W

Minimální provozní teplota

-55°C

Maximální provozní teplota

175°C

Konfigurace tranzistoru

Jednoduchý

Normy/schválení

No

Délka

10.54mm

Výška

8.77mm

Počet prvků na čip

1

Automobilový standard

Ne

Země původu (Country of Origin):
CN

MOSFETy řady Infineon LogicFET, maximální trvalý proud na odtoku 104 A, maximální ztrátový výkon 200 W - IRL2505PBF


Tento tranzistor MOSFET je určen pro vysoce výkonné aplikace, které vyžadují efektivní správu energie. S maximálním trvalým proudem 104 A a napětím až 55 V je konkurenceschopnou volbou na trhu. Díky robustní konstrukci a pokročilým technickým parametrům je vhodný pro různé automatizační a elektronické aplikace.

Vlastnosti a výhody


• Nízký zapínací odpor 8 mΩ snižuje tvorbu tepla

• Maximální příkon 200 W zvyšuje výkon

• Průchozí způsob montáže umožňuje snadnější integraci

• Nízký požadavek na poplatek za bránu zvyšuje efektivitu provozu

• Konstrukce režimu vylepšení zajišťuje výkon v náročných podmínkách

Aplikace


• Spínání napájení pro účinnou kontrolu

• Hnací obvody motoru pro regulaci otáček a točivého momentu

• Automatizované systémy vyžadující vysokou správu proudu

• Napájecí zdroje a konverzní obvody pro udržení stabilního výstupu

• Průmyslové stroje pro zvýšení výkonu

Jaké je prahové napětí hradla pro použití?


Prahové napětí hradla se pohybuje mezi 1 V a 2 V, což umožňuje flexibilitu pro různé aplikace.

Jak teplota ovlivňuje výkon?


Toto zařízení může efektivně pracovat v teplotním rozsahu od -55 °C do +175 °C, takže je vhodné do náročných podmínek prostředí.

Zvládne operace s pulzním proudem?


Ano, zvládá pulzní proudy až 360 A, což zajišťuje spolehlivost při krátkodobých aplikacích.

Jakou úroveň napětí lze řídit přes drain-source?


Podporuje maximální napětí 55 V, které je ideální pro většinu univerzálních aplikací.

N-kanálový výkon MOSFET 55 V, Infineon


Řada diskrétních tranzistorů MOSFET HEXFET® společnosti Infineon zahrnuje zařízení N-channel v povrchové montáži a v olovnatých obalech a v provedení, které mohou řešit téměř všechny problémy s rozvržením desek a tepelným designem. Napříč měřítkem rozsahu rezistence vede ke ztrátám vedení, což návrhářům umožňuje zajistit optimální účinnost systému.

Tranzistory MOSFET, Infineon


Společnost Infineon nabízí velké a komplexní portfolio zařízení MOSFET, které zahrnuje rodiny CoolMOS, OptiMOS a StrongIRFET. Poskytují nejlepší výkon ve své třídě, který přináší vyšší efektivitu, hustotu energie a efektivitu nákladů. Návrhy vyžadující vysoce kvalitní a vylepšené funkce ochrany využívají standardy MOSFET AEC-Q101, které byly schváleny automobilovým průmyslem.

Související odkazy

Buďte první u novinek ze světa RS

Váš e-mail

Osobní údaje, které nám poskytnete při registraci do mailing listu, budou zpracovány v souladu s našimi Zásadami ochrany osobních údajů.