řada: HEXFET MOSFET IRLB8748PBF Typ N-kanálový 92 A 30 V Infineon, JEDEC TO-220AB, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 725-9329
- Výrobní číslo:
- IRLB8748PBF
- Výrobce:
- Infineon
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 5 kusech)*
149,68 Kč
(bez DPH)
181,115 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Dočasně vyprodáno
- 825 jednotka(y) budou odesílané od 22. června 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | 29,936 Kč | 149,68 Kč |
| 25 - 45 | 28,406 Kč | 142,03 Kč |
| 50 - 120 | 25,59 Kč | 127,95 Kč |
| 125 - 245 | 23,02 Kč | 115,10 Kč |
| 250 + | 21,884 Kč | 109,42 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 725-9329
- Výrobní číslo:
- IRLB8748PBF
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 92A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 30V | |
| Řada | HEXFET | |
| Typ balení | JEDEC TO-220AB | |
| Typ montáže | Průchozí otvor | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 15nC | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 370W | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Normy/schválení | No | |
| Délka | 10.67mm | |
| Výška | 9.02mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 92A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 30V | ||
Řada HEXFET | ||
Typ balení JEDEC TO-220AB | ||
Typ montáže Průchozí otvor | ||
Počet kolíků 3 | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 15nC | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 370W | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Normy/schválení No | ||
Délka 10.67mm | ||
Výška 9.02mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
N-Channel Power MOSFET 30V, Infineon
Řada Infineon diskrétních tranzistorů MOSFET HEXFET® obsahuje zařízení N-channel v povrchové montáži a v olovnatých obalech. A tvarové faktory, které mohou řešit téměř všechny problémy s uspořádáním desek a tepelným designem. Napříč měřítkem rozsahu rezistence vede ke ztrátám vedení, což návrhářům umožňuje zajistit optimální účinnost systému.
Tranzistory MOSFET, Infineon
Společnost Infineon nabízí velké a komplexní portfolio zařízení MOSFET, které zahrnuje rodiny CoolMOS, OptiMOS a StrongIRFET. Poskytují nejlepší výkon ve své třídě, který přináší vyšší efektivitu, hustotu energie a efektivitu nákladů. Návrhy vyžadující vysoce kvalitní a vylepšené funkce ochrany využívají standardy MOSFET AEC-Q101, které byly schváleny automobilovým průmyslem.
Související odkazy
- řada: HEXFET MOSFET IRLB8748PBF Typ N-kanálový 92 A 30 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 18 A 55 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 87 A 100 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 180 A 100 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET IRFB4110GPBF Typ N-kanálový 180 A 100 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET IRFZ24NPBF Typ N-kanálový 87 A 100 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET IRLZ24NPBF Typ N-kanálový 18 A 55 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET IRFB3006PBF Typ N-kanálový 270 A 60 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení