řada: HiperFET, X2-Class MOSFET IXFH34N65X2 Typ N-kanálový 34 A 650 V IXYS, TO-247, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení

Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného nacenění

Mezisoučet (1 balení po 2 kusech)*

417,92 Kč

(bez DPH)

505,68 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Skladem
  • 162 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.

Ks
za jednotku
za balení*
2 - 8208,96 Kč417,92 Kč
10 - 28188,09 Kč376,18 Kč
30 - 88167,59 Kč335,18 Kč
90 - 178160,18 Kč320,36 Kč
180 +152,77 Kč305,54 Kč

*orientační cena

Typy balení:
Skladové číslo RS:
917-1467
Číslo zboží společnosti Distrelec:
304-37-851
Výrobní číslo:
IXFH34N65X2
Výrobce:
IXYS
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

IXYS

Typ produktu

MOSFET

Typ kanálu

Typ N

Maximální trvalý vypouštěcí proud Id

34A

Maximální napětí na zdroji Vds

650V

Typ balení

TO-247

Řada

HiperFET, X2-Class

Typ montáže

Průchozí otvor

Počet kolíků

3

Maximální odpor zdroje Rds

100mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Minimální provozní teplota

-55°C

Typický náboj brány Qg @ Vgs

56nC

Maximální ztrátový výkon Pd

540W

Maximální napětí zdroje brány Vgs

30V

Přímé napětí Vf

1.4V

Maximální provozní teplota

150°C

Výška

5.3mm

Šířka

21.45mm

Normy/schválení

No

Délka

16.24mm

Automobilový standard

Ne

N-kanálový výkon MOSFET, IXYS HiPerFET™ řady X2


Řada výkonových tranzistorů MOSFET třídy IXYS X2 HiPerFET nabízí ve srovnání s předchozími generacemi výkonových tranzistorů MOSFET výrazně nižší odpor a náboj hradel, což vede ke snížení ztrát a vyšší provozní efektivitě. Tato robustní zařízení jsou vybavena vylepšenou vysokorychlostní vnitřní diodou, která je vhodná pro použití v režimu pevných přepínačů i v režimu rezonancí. Výkonové tranzistory MOSFET třídy X2 jsou k dispozici v řadě standardních balení, včetně izolovaných typů, s ratingem až 120 A při 650 V. Mezi typické aplikace patří měniče DC-DC, AC a DC motory, spínací a rezonanční napájecí zdroje, měniče DC, solární invertory, řízení teploty a osvětlení.

Velmi nízká úroveň RDS(on) a QG (nabíjení brány)

Rychle zabudovaná usměrňovací dioda

Nízký vnitřní odpor brány

Nízká indukčnost součástky

Balení podle průmyslových norem

Tranzistory MOSFET, IXYS


Široká nabídka Advanced diskrétní tranzistorových MOSFET od společnosti IXYS

Související odkazy

Buďte první u novinek ze světa RS

Váš e-mail

Osobní údaje, které nám poskytnete při registraci do mailing listu, budou zpracovány v souladu s našimi Zásadami ochrany osobních údajů.