řada: HiperFET, X2-Class MOSFET IXFA22N65X2 N-kanálový 22 A 650 V IXYS, TO-263, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení

Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného nacenění

Mezisoučet (2 jednotky/-ek, v balení po 2 ks)*

292,94 Kč

(bez DPH)

354,46 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Skladem
  • 246 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.

Ks
za jednotku
za balení*
2 - 8146,47 Kč292,94 Kč
10 - 48142,27 Kč284,54 Kč
50 - 98138,565 Kč277,13 Kč
100 - 198134,86 Kč269,72 Kč
200 +131,775 Kč263,55 Kč

*orientační cena

Typy balení:
Skladové číslo RS:
917-1451
Číslo zboží společnosti Distrelec:
304-44-489
Výrobní číslo:
IXFA22N65X2
Výrobce:
IXYS
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

IXYS

Typ kanálu

N

Typ produktu

MOSFET

Maximální trvalý vypouštěcí proud Id

22A

Maximální napětí na zdroji Vds

650V

Typ balení

TO-263

Řada

HiperFET, X2-Class

Typ montáže

Povrch

Počet kolíků

3

Maximální odpor zdroje Rds

145mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Minimální provozní teplota

-55°C

Maximální napětí zdroje brány Vgs

-30, +30V

Typický náboj brány Qg @ Vgs

37nC

Maximální ztrátový výkon Pd

390W

Přímé napětí Vf

1.4V

Maximální provozní teplota

150°C

Výška

4.83mm

Normy/schválení

No

Délka

10.41mm

Šířka

11.05mm

Automobilový standard

Ne

N-kanálový výkon MOSFET, IXYS HiPerFET™ řady X2


Řada výkonových tranzistorů MOSFET třídy IXYS X2 HiPerFET nabízí ve srovnání s předchozími generacemi výkonových tranzistorů MOSFET výrazně nižší odpor a náboj hradel, což vede ke snížení ztrát a vyšší provozní efektivitě. Tato robustní zařízení jsou vybavena vylepšenou vysokorychlostní vnitřní diodou, která je vhodná pro použití v režimu pevných přepínačů i v režimu rezonancí. Výkonové tranzistory MOSFET třídy X2 jsou k dispozici v řadě standardních balení, včetně izolovaných typů, s ratingem až 120 A při 650 V. Mezi typické aplikace patří měniče DC-DC, AC a DC motory, spínací a rezonanční napájecí zdroje, měniče DC, solární invertory, řízení teploty a osvětlení.

Velmi nízká úroveň RDS(on) a QG (nabíjení brány)

Rychle zabudovaná usměrňovací dioda

Nízký vnitřní odpor brány

Nízká indukčnost součástky

Balení podle průmyslových norem

Tranzistory MOSFET, IXYS


Široká nabídka Advanced diskrétní tranzistorových MOSFET od společnosti IXYS

Související odkazy

Buďte první u novinek ze světa RS

Váš e-mail

Osobní údaje, které nám poskytnete při registraci do mailing listu, budou zpracovány v souladu s našimi Zásadami ochrany osobních údajů.