řada: HiperFET, X2-Class MOSFET N-kanálový 100 A 650 V IXYS, TO-264, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 168-4813
- Výrobní číslo:
- IXFK100N65X2
- Výrobce:
- IXYS
Mezisoučet (25 jednotky/-ek, do tubusu po 25 ks)*
11 002,63 Kč
(bez DPH)
13 313,18 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Dočasně vyprodáno
- 75 jednotka(y) budou odesílané od 27. ledna 2027
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za tubu* |
|---|---|---|
| 25 + | 440,105 Kč | 11 002,63 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 168-4813
- Výrobní číslo:
- IXFK100N65X2
- Výrobce:
- IXYS
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | IXYS | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 100A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 650V | |
| Typ balení | TO-264 | |
| Řada | HiperFET, X2-Class | |
| Typ montáže | Průchozí otvor | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 30mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Přímé napětí Vf | 1.4V | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | -30, +30V | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 183nC | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 1.04kW | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Šířka | 26.3mm | |
| Délka | 20.3mm | |
| Výška | 5.3mm | |
| Normy/schválení | No | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka IXYS | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 100A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 650V | ||
Typ balení TO-264 | ||
Řada HiperFET, X2-Class | ||
Typ montáže Průchozí otvor | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 30mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Přímé napětí Vf 1.4V | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs -30, +30V | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 183nC | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 1.04kW | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Šířka 26.3mm | ||
Délka 20.3mm | ||
Výška 5.3mm | ||
Normy/schválení No | ||
Automobilový standard Ne | ||
- Země původu (Country of Origin):
- US
N-kanálový výkon MOSFET, IXYS HiPerFET™ řady X2
Řada výkonových tranzistorů MOSFET třídy IXYS X2 HiPerFET nabízí ve srovnání s předchozími generacemi výkonových tranzistorů MOSFET výrazně nižší odpor a náboj hradel, což vede ke snížení ztrát a vyšší provozní efektivitě. Tato robustní zařízení jsou vybavena vylepšenou vysokorychlostní vnitřní diodou, která je vhodná pro použití v režimu pevných přepínačů i v režimu rezonancí. Výkonové tranzistory MOSFET třídy X2 jsou k dispozici v řadě standardních balení, včetně izolovaných typů, s ratingem až 120 A při 650 V. Mezi typické aplikace patří měniče DC-DC, AC a DC motory, spínací a rezonanční napájecí zdroje, měniče DC, solární invertory, řízení teploty a osvětlení.
Velmi nízká úroveň RDS(on) a QG (nabíjení brány)
Rychle zabudovaná usměrňovací dioda
Nízký vnitřní odpor brány
Nízká indukčnost součástky
Balení podle průmyslových norem
Tranzistory MOSFET, IXYS
Široká nabídka Advanced diskrétní tranzistorových MOSFET od společnosti IXYS
Související odkazy
- řada: HiperFET TO-264, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: X2-Class MOSFET N-kanálový 120 A 650 V IXYS počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HiperFET TO-263, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HiperFET TO-247, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HiperFET TO-247, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: X2-Class MOSFET IXTK120N65X2 N-kanálový 120 A 650 V IXYS počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HiperFET TO-247, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HiperFET TO-263, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení