řada: HEXFETMOSFET IRLML2244TRPBF P-kanálový 4,3 A 20 V, SOT-23, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si

Řada diskrétních tranzistorů MOSFET HEXFET® společnosti Infineon zahrnuje zařízení s kanálem P v povrchové montáži a v olovnatých obalech a tvarové faktory, které mohou řešit téměř všechny problémy s rozvržením desek a tepelným designem. Napříč měřítkem rozsahu rezistence vede ke ztrátám vedení, což návrhářům umožňuje zajistit optimální účinnost systému.

Řada výkonových MOSFET StrongIRFETTM je optimalizována pro nízké R_DS(on) a vysoká proudová kapacita. Zařízení jsou ideální pro aplikace s nízkou frekvencí, které vyžadují výkon a robustnost. Komplexní portfolio se zaměřuje na širokou škálu aplikací, včetně stejnosměrných motorů, systémů správy baterií, měničů a měničů DC/DC.

Tranzistory MOSFET, Infineon

Společnost Infineon nabízí velké a komplexní portfolio zařízení MOSFET, které zahrnuje rodiny CoolMOS, OptiMOS a StrongIRFET. Poskytují nejlepší výkon ve své třídě, který přináší vyšší efektivitu, hustotu energie a efektivitu nákladů. Návrhy vyžadující vysoce kvalitní a vylepšené funkce ochrany využívají standardy MOSFET AEC-Q101, které byly schváleny automobilovým průmyslem.