řada: HEXFET MOSFET IRLML9303TRPBF Typ P-kanálový 2.3 A 30 V Infineon, SOT-23, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 725-9369
- Číslo zboží společnosti Distrelec:
- 304-45-321
- Výrobní číslo:
- IRLML9303TRPBF
- Výrobce:
- Infineon
Využijte množstevní slevu
Mezisoučet (1 balení po 20 kusech)*
83,00 Kč
(bez DPH)
100,40 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 500,00 Kč
Poslední zásoby RS
- Posledních 1 980 ks/položek skladem k odeslání z jiného místa
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 20 - 180 | 4,15 Kč | 83,00 Kč |
| 200 - 480 | 2,89 Kč | 57,80 Kč |
| 500 - 980 | 2,742 Kč | 54,84 Kč |
| 1000 - 1980 | 2,532 Kč | 50,64 Kč |
| 2000 + | 2,371 Kč | 47,42 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 725-9369
- Číslo zboží společnosti Distrelec:
- 304-45-321
- Výrobní číslo:
- IRLML9303TRPBF
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | Typ P | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 2.3A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 30V | |
| Řada | HEXFET | |
| Typ balení | SOT-23 | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 165mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 2nC | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 20 V | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 1.25W | |
| Přímé napětí Vf | -1.2V | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Výška | 1.02mm | |
| Šířka | 1.4 mm | |
| Normy/schválení | No | |
| Délka | 3.04mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu Typ P | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 2.3A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 30V | ||
Řada HEXFET | ||
Typ balení SOT-23 | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 165mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 2nC | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 20 V | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 1.25W | ||
Přímé napětí Vf -1.2V | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Výška 1.02mm | ||
Šířka 1.4 mm | ||
Normy/schválení No | ||
Délka 3.04mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
Napájecí MOSFET s kanálem P 30V, Infineon
Řada diskrétních tranzistorů MOSFET HEXFET® společnosti Infineon zahrnuje zařízení s kanálem P v povrchové montáži a v olovnatých obalech a tvarové faktory, které mohou řešit téměř všechny problémy s rozvržením desek a tepelným designem. Napříč měřítkem rozsahu rezistence vede ke ztrátám vedení, což návrhářům umožňuje zajistit optimální účinnost systému.
Tranzistory MOSFET, Infineon
Společnost Infineon nabízí velké a komplexní portfolio zařízení MOSFET, které zahrnuje rodiny CoolMOS, OptiMOS a StrongIRFET. Poskytují nejlepší výkon ve své třídě, který přináší vyšší efektivitu, hustotu energie a efektivitu nákladů. Návrhy vyžadující vysoce kvalitní a vylepšené funkce ochrany využívají standardy MOSFET AEC-Q101, které byly schváleny automobilovým průmyslem.
Související odkazy
- řada: HEXFET MOSFET Typ P-kanálový 2.3 A 30 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET Typ P-kanálový 2.6 A 20 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET Typ P-kanálový 3 A 30 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET Typ P-kanálový 4.3 A 20 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET Typ P-kanálový 3.6 A 30 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET IRLML9301TRPBF Typ P-kanálový 3.6 A 30 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET IRLML2246TRPBF Typ P-kanálový 2.6 A 20 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET IRLML2244TRPBF Typ P-kanálový 4.3 A 20 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení