řada: HEXFET MOSFET IRLML9301TRPBF Typ P-kanálový 3.6 A 30 V Infineon, SOT-23, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení

Skladové číslo RS:: 725-9366
Číslo zboží společnosti Distrelec:: 304-45-320
Výrobní číslo:: IRLML9301TRPBF
Výrobce:: Infineon

řada: HEXFET MOSFET IRLML9301TRPBF Typ P-kanálový 3.6 A 30 V Infineon, SOT-23, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení

Využijte množstevní slevu

Mezisoučet (1 balení po 20 kusech)*

108,48 Kč

(bez DPH)

131,26 Kč

(s DPH)

Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 500,00 Kč

Skladem

120 jednotka/jednotek připraveno k odeslání
Plus 54 620 jednotka(y) budou odesílané od 12. března 2026

Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.

Ks	za jednotku	za balení*
20 - 180	5,424 Kč	108,48 Kč
200 - 480	3,695 Kč	73,90 Kč
500 - 980	3,478 Kč	69,56 Kč
1000 - 1980	3,201 Kč	64,02 Kč
2000 +	2,974 Kč	59,48 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:: 725-9366
Číslo zboží společnosti Distrelec:: 304-45-320
Výrobní číslo:: IRLML9301TRPBF
Výrobce:: Infineon

Specifikace

Technické reference

Legislativa a životní prostředí

Podrobnosti o výrobku

Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.

Vybrat vše	Atribut	Hodnota
	Značka	Infineon
	Typ kanálu	Typ P
	Typ produktu	MOSFET
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id	3.6A
	Maximální napětí na zdroji Vds	30V
	Typ balení	SOT-23
	Řada	HEXFET
	Typ montáže	Povrch
	Počet kolíků	3
	Maximální odpor zdroje Rds	64mΩ
	Režim kanálu	Vylepšení
	Přímé napětí Vf	-1.2V
	Typický náboj brány Qg @ Vgs	4.8nC
	Maximální ztrátový výkon Pd	1.3W
	Maximální napětí zdroje brány Vgs	20 V
	Minimální provozní teplota	-55°C
	Maximální provozní teplota	150°C
	Délka	3.04mm
	Normy/schválení	No
	Šířka	1.4 mm
	Výška	1.02mm
	Automobilový standard	Ne

	Vybrat vše
	Značka Infineon
	Typ kanálu Typ P
	Typ produktu MOSFET
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 3.6A
	Maximální napětí na zdroji Vds 30V
	Typ balení SOT-23
	Řada HEXFET
	Typ montáže Povrch
	Počet kolíků 3
	Maximální odpor zdroje Rds 64mΩ
	Režim kanálu Vylepšení
	Přímé napětí Vf -1.2V
	Typický náboj brány Qg @ Vgs 4.8nC
	Maximální ztrátový výkon Pd 1.3W
	Maximální napětí zdroje brány Vgs 20 V
	Minimální provozní teplota -55°C
	Maximální provozní teplota 150°C
	Délka 3.04mm
	Normy/schválení No
	Šířka 1.4 mm
	Výška 1.02mm
	Automobilový standard Ne

MOSFETy Infineon řady HEXFET, 30 V maximální napětí na zdroji, 3,6 A maximální trvalý proud na zdroji - IRLML9301TRPBF

Tento polovodič MOSFET je určen pro efektivní řízení spotřeby v různých elektronických aplikacích. Má povrchovou montáž (SOT-23) pro snadnou integraci do kompaktních elektronických obvodů. Součástka efektivně pracuje s maximálním trvalým proudem na drenážích 3,6 A a zvládá maximální napětí na drenážích 30 V.

Charakteristiky a výhody

• Konfigurace režimu Enhancement umožňuje efektivní provoz

• Vysoký rozsah prahového napětí hradla zvyšuje spolehlivost

• Větší tepelná odolnost

• Optimalizováno pro hodnoty proudu při odběru, což zvyšuje spolehlivost výkonu

Aplikace

• Používá se pro správu napájení v přenosných zařízeních

• Ideální pro automatizační řídicí systémy

• Používá se v audio zesilovačích a signálových procesorech

• Vhodné pro DC-DC měniče v systémech obnovitelné energie

• Skvěle se hodí pro pohon motorů v robotech

Jaký vliv má nízká hodnota odporu na výkon?

Nízký zapínací odpor 64 mΩ umožňuje snížit tvorbu tepla během provozu, což zvyšuje celkovou účinnost a prodlužuje životnost součástek v aplikacích s vysokým proudem.

Jaký přínos má režim vylepšení pro návrh obvodů?

Režim vylepšení umožňuje, aby tranzistor MOSFET zůstal vypnutý, dokud není dosaženo určitého napětí na hradle, a poskytuje tak spolehlivé řízení spínání vhodné pro různé elektronické konstrukce bez zbytečných ztrát výkonu.

Zvládne tato součást vysoké teploty?

Ano, je navržen tak, aby spolehlivě fungoval při teplotách až do +150 °C, takže je vhodný pro aplikace vystavené drsnému prostředí nebo intenzivnímu používání.