řada: OptiMOS MOSFET BSC011N03LSIATMA1 N-kanálový 100 A 30 V Infineon, TDSON, počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 906-4362
- Výrobní číslo:
- BSC011N03LSIATMA1
- Výrobce:
- Infineon
Mezisoučet (10 jednotky/-ek, v balení po 10 ks)*
230,21 Kč
(bez DPH)
278,55 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- 14 080 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 10 + | 23,021 Kč | 230,21 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 906-4362
- Výrobní číslo:
- BSC011N03LSIATMA1
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 100A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 30V | |
| Řada | OptiMOS | |
| Typ balení | TDSON | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 8 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 1.4mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 96W | |
| Přímé napětí Vf | 0.7V | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | -20V, +20V | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 34nC | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Normy/schválení | No | |
| Šířka | 5.35mm | |
| Výška | 1.1mm | |
| Délka | 6.1mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 100A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 30V | ||
Řada OptiMOS | ||
Typ balení TDSON | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 8 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 1.4mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 96W | ||
Přímé napětí Vf 0.7V | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs -20V, +20V | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 34nC | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Normy/schválení No | ||
Šířka 5.35mm | ||
Výška 1.1mm | ||
Délka 6.1mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
Výjimka
MOSFET Infineon řady OptiMOS, maximální zdrojové napětí vypouštění 30 V, maximální nepřetržitý vypouštěcí proud 100 A – BSC011N03LSIATMA1
Tento MOSFET je výkonový spínací tranzistor navržený pro aplikace s vysokým proudem a nízkým napětím v sestavách pro povrchovou montáž. Pracuje v širokém teplotním rozsahu a je určen pro použití tam, kde je vyžadováno efektivní vedení a rychlé řízení hradla. Zařízení je dodáváno v osmkolíkovém pouzdru TDSON a je určeno pro montáž přímo na povrchy desek plošných spojů.
Charakteristiky a výhody:
• Velmi nízký odpor při zapnutí 1.4 mΩ snižuje ztráty při vedení
• Vysoký nepřetržitý vypouštěcí proud 100 A podporuje těžké zátěže
• Nízké propustné napětí Vf 0,7 V zlepšuje účinnost při zatížení
• Mírné nabití hradla 34 nC umožňuje relativně rychlé spínání
• Maximální napětí mezi vypouštěním a zdrojem 30 V umožňuje nízkonapěťové napájecí stupně
• Rozptýlení výkonu 96 W odolává vysokému tepelnému namáhání
• Vysoký nepřetržitý vypouštěcí proud 100 A podporuje těžké zátěže
• Nízké propustné napětí Vf 0,7 V zlepšuje účinnost při zatížení
• Mírné nabití hradla 34 nC umožňuje relativně rychlé spínání
• Maximální napětí mezi vypouštěním a zdrojem 30 V umožňuje nízkonapěťové napájecí stupně
• Rozptýlení výkonu 96 W odolává vysokému tepelnému namáhání
Aplikace
• Vhodné pro synchronní snižovací měniče v napájecích zdrojích
• Ideální pro stupně pohonu motoru vyžadující vysoký proud
• Používá se s obvody pro správu baterií v systémech s vysokým vybíjením
• Lze použít pro měniče DC/DC v telekomunikačních zařízeních
• Používá se pro spínání vysokého proudového zatížení na deskách pro povrchovou montáž
• Ideální pro stupně pohonu motoru vyžadující vysoký proud
• Používá se s obvody pro správu baterií v systémech s vysokým vybíjením
• Lze použít pro měniče DC/DC v telekomunikačních zařízeních
• Používá se pro spínání vysokého proudového zatížení na deskách pro povrchovou montáž
Jaké limity napětí hradla je třeba dodržovat pro bezpečný provoz?
Jmenovité napětí mezi hradlem a zdrojem je omezeno na maximálně 20 V, takže pohon hradla by měl být udržován v tomto rozsahu, aby se zabránilo dielektrickému nebo hradlovému oxidu.
Jak se tepelná výkonnost vztahuje k extrémním podmínkám prostředí?
Zařízení je specifikováno pro provoz v rozsahu teploty spoje -55 °C až 150 °C, což umožňuje použití v prostředích s velkými teplotními rozdíly, pokud je použito odpovídající tepelné řízení.
Jaké úvahy jsou nutné ohledně montáže a půdorysu?
Dodává se v pouzdru TDSON s osmi kolíky pro povrchovou montáž
zajistěte, aby tepelné dráhy desek plošných spojů a měděná plocha vyhovovaly rozptylu 96 W a vysokým proudovým cestám.
Jak typ kanálu ovlivňuje volbu topologie obvodu?
Režim vylepšení N-kanálu vyžaduje kladný pohon hradla v poměru ke zdroji pro vedení, díky čemuž je vhodný jako spínač na nízké straně nebo ve synchronních uspořádáních.
Související odkazy
- řada: OptiMOS MOSFET N-kanálový 100 A 30 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: OptiMOS MOSFET N-kanálový 100 A 40 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: OptiMOS MOSFET N-kanálový 100 A 25 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: OptiMOS MOSFET N-kanálový 40 A 30 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: OptiMOS MOSFET N-kanálový 147 A 25 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: OptiMOS MOSFET N-kanálový 13 A 34 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: OptiMOS MOSFET N-kanálový 275 A 40 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: OptiMOS MOSFET N-kanálový 57 A 30 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení