řada: OptiMOS 5 MOSFET BSC016N06NSATMA1 Typ N-kanálový 100 A 60 V Infineon, TDSON, počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 906-4325
- Výrobní číslo:
- BSC016N06NSATMA1
- Výrobce:
- Infineon
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 5 kusech)*
261,33 Kč
(bez DPH)
316,21 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- 4 325 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 52,266 Kč | 261,33 Kč |
| 50 - 120 | 47,03 Kč | 235,15 Kč |
| 125 - 245 | 43,908 Kč | 219,54 Kč |
| 250 - 495 | 40,784 Kč | 203,92 Kč |
| 500 + | 37,622 Kč | 188,11 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 906-4325
- Výrobní číslo:
- BSC016N06NSATMA1
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 100A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 60V | |
| Typ balení | TDSON | |
| Řada | OptiMOS 5 | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 8 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 2.4mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 139W | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 71nC | |
| Přímé napětí Vf | 1.2V | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Délka | 6mm | |
| Výška | 1.1mm | |
| Normy/schválení | No | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 100A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 60V | ||
Typ balení TDSON | ||
Řada OptiMOS 5 | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 8 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 2.4mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 139W | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 71nC | ||
Přímé napětí Vf 1.2V | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Délka 6mm | ||
Výška 1.1mm | ||
Normy/schválení No | ||
Automobilový standard Ne | ||
Výjimka
Infineon OptiMOS™5 - výkonové tranzistory MOSF
Tranzistory MOSFET, Infineon
Společnost Infineon nabízí velké a komplexní portfolio zařízení MOSFET, které zahrnuje rodiny CoolMOS, OptiMOS a StrongIRFET. Poskytují nejlepší výkon ve své třídě, který přináší vyšší efektivitu, hustotu energie a efektivitu nákladů. Návrhy vyžadující vysoce kvalitní a vylepšené funkce ochrany využívají standardy MOSFET AEC-Q101, které byly schváleny automobilovým průmyslem.
Související odkazy
- řada: OptiMOS 5 MOSFET Typ N-kanálový 100 A 60 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: OptiMOS MOSFET Typ N-kanálový 46 A 60 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: OptiMOS MOSFET BSC097N06NSATMA1 Typ N-kanálový 46 A 60 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: OptiMOS 3 MOSFET Typ N-kanálový 50 A 60 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: OptiMOS 3 MOSFET Typ N-kanálový 100 A 60 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: OptiMOS-TM5 MOSFET Typ N-kanálový 60 A 100 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: OptiMOS MOSFET + Dioda Typ N-kanálový 137 A 60 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: OptiMOS 3 MOSFET Typ N-kanálový 20 A 60 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení