řada: OptiMOS-TM5 MOSFET N-kanálový 60 A 100 V Infineon, TDSON, počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení

Skladové číslo RS:: 222-4621
Výrobní číslo:: BSC098N10NS5ATMA1
Výrobce:: Infineon

řada: OptiMOS-TM5 MOSFET N-kanálový 60 A 100 V Infineon, TDSON, počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení

Mezisoučet (1 naviják po 5000 kusech)*

101 155,00 Kč

(bez DPH)

122 400,00 Kč

(s DPH)

Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč

Skladem

Plus 5 000 jednotka(y) budou odesílané od 12. října 2026

Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.

Ks	za jednotku	za cívku*
5000 +	20,231 Kč	101 155,00 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:: 222-4621
Výrobní číslo:: BSC098N10NS5ATMA1
Výrobce:: Infineon

Specifikace

Technické reference

Legislativa a životní prostředí

Podrobnosti o výrobku

Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.

Vybrat vše	Atribut	Hodnota
	Značka	Infineon
	Typ kanálu	N
	Typ produktu	MOSFET
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id	60A
	Maximální napětí na zdroji Vds	100V
	Typ balení	TDSON
	Řada	OptiMOS-TM5
	Typ montáže	Povrch
	Počet kolíků	8
	Maximální odpor zdroje Rds	9.8mΩ
	Režim kanálu	Vylepšení
	Typický náboj brány Qg @ Vgs	22nC
	Přímé napětí Vf	1.1V
	Maximální ztrátový výkon Pd	69W
	Maximální napětí zdroje brány Vgs	20V
	Minimální provozní teplota	-55°C
	Maximální provozní teplota	150°C
	Výška	1.2mm
	Normy/schválení	No
	Délka	5.35mm
	Šířka	6.1mm
	Automobilový standard	Ne

	Vybrat vše
	Značka Infineon
	Typ kanálu N
	Typ produktu MOSFET
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 60A
	Maximální napětí na zdroji Vds 100V
	Typ balení TDSON
	Řada OptiMOS-TM5
	Typ montáže Povrch
	Počet kolíků 8
	Maximální odpor zdroje Rds 9.8mΩ
	Režim kanálu Vylepšení
	Typický náboj brány Qg @ Vgs 22nC
	Přímé napětí Vf 1.1V
	Maximální ztrátový výkon Pd 69W
	Maximální napětí zdroje brány Vgs 20V
	Minimální provozní teplota -55°C
	Maximální provozní teplota 150°C
	Výška 1.2mm
	Normy/schválení No
	Délka 5.35mm
	Šířka 6.1mm
	Automobilový standard Ne

Datasheet - BSC098N10NS5ATMA1

MOSFET Infineon řady OptiMOS-TM5, maximální zdrojové napětí vypouštění 100 V, maximální nepřetržitý vypouštěcí proud 60 A – BSC098N10NS5ATMA1

Tento MOSFET je vysokonapěťové vylepšovací zařízení s N-kanálem určené pro povrchovou montáž napájecího spínání v náročných teplotních rozsazích. Podporuje vysoké nepřetržité proudy a je určen pro aplikace vyžadující efektivní vedení a rychlé spínání v extrémních průmyslových teplotách.

Charakteristiky a výhody:

• Jmenovitá hodnota 100 V zajišťuje schopnost spínání při vysokém napětí
• Nepřetržitý vypouštěcí proud 60 A umožňuje manipulaci s velkým zatížením
• Nízká hodnota RDS 9.8 mΩ snižuje ztráty při vedení
• Rozptýlení výkonu 69 W podporuje významné tepelné zatížení
• Typický náboj hradla 22 nC umožňuje citlivé přepínání
• Tolerance hradla 20 V umožňuje robustní rozpětí hradlového pohonu

Aplikace

• Vhodné pro vysokonapěťové stupně měničů DC/DC
• Ideální pro proudové stupně motorových pohonů v výkonové elektronice
• Používá se se synchronními snižovacími regulátory pro vyšší účinnost
• Lze použít pro spínání při vysokém proudu v napájecích lištách serveru
• Vhodné pro řízení baterií a moduly rozvodu napájení

Jaké pouzdro se používá a jak to ovlivňuje montáž desky?

Dodává se v 8kolíkovém pouzdru TDSON pro povrchovou montáž, který zjednodušuje automatizované pick-and-place a pájení pro kompaktní uspořádání desek.

V jakých tepelných extrémích může pracovat?

Zařízení je specifikováno pro provoz v rozsahu −55 °C až 150 °C pro okolní nebo rozvodné provozní scénáře.

Jak konfigurace kanálu ovlivňuje ovládání?

Pro vedení vylepšovacího kanálu typu N je vyžadováno kladné napětí mezi bránou a zdrojem, což umožňuje jednoduchou konstrukci pohonu brány pro spínací aplikace.

Jaké je maximální napětí hradla, které by mělo být aplikováno?

Napětí mezi bránou a zdrojem nesmí překročit 20 V, aby nedošlo k ohrožení izolace brány a integrity zařízení.

Jak velikost pouzdra podporuje husté konstrukce?

Kompaktní rozměry 5,35 x 6,1 x 1,2 mm pomáhají při uspořádání s vysokou hustotou při zachování schopnosti manipulace s výkonem.