řada: OptiMOS-TM5 MOSFET N-kanálový 131 A 80 V Infineon, TDSON, počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení

Skladové číslo RS:: 222-4617
Výrobní číslo:: BSC037N08NS5ATMA1
Výrobce:: Infineon

řada: OptiMOS-TM5 MOSFET N-kanálový 131 A 80 V Infineon, TDSON, počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení

Mezisoučet (1 naviják po 5000 kusech)*

105 965,00 Kč

(bez DPH)

128 220,00 Kč

(s DPH)

Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč

Skladem

Plus 10 000 jednotka(y) budou odesílané od 12. října 2026

Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.

Ks	za jednotku	za cívku*
5000 +	21,193 Kč	105 965,00 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:: 222-4617
Výrobní číslo:: BSC037N08NS5ATMA1
Výrobce:: Infineon

Specifikace

Technické reference

Legislativa a životní prostředí

Podrobnosti o výrobku

Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.

Vybrat vše	Atribut	Hodnota
	Značka	Infineon
	Typ kanálu	N
	Typ produktu	MOSFET
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id	131A
	Maximální napětí na zdroji Vds	80V
	Typ balení	TDSON
	Řada	OptiMOS-TM5
	Typ montáže	Povrch
	Počet kolíků	8
	Maximální odpor zdroje Rds	3.7mΩ
	Režim kanálu	Vylepšení
	Typický náboj brány Qg @ Vgs	46nC
	Maximální napětí zdroje brány Vgs	20V
	Maximální ztrátový výkon Pd	114W
	Přímé napětí Vf	1.1V
	Minimální provozní teplota	-55°C
	Maximální provozní teplota	+175°C
	Šířka	6.1mm
	Normy/schválení	No
	Výška	1.2mm
	Délka	5.35mm
	Automobilový standard	Ne

	Vybrat vše
	Značka Infineon
	Typ kanálu N
	Typ produktu MOSFET
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 131A
	Maximální napětí na zdroji Vds 80V
	Typ balení TDSON
	Řada OptiMOS-TM5
	Typ montáže Povrch
	Počet kolíků 8
	Maximální odpor zdroje Rds 3.7mΩ
	Režim kanálu Vylepšení
	Typický náboj brány Qg @ Vgs 46nC
	Maximální napětí zdroje brány Vgs 20V
	Maximální ztrátový výkon Pd 114W
	Přímé napětí Vf 1.1V
	Minimální provozní teplota -55°C
	Maximální provozní teplota +175°C
	Šířka 6.1mm
	Normy/schválení No
	Výška 1.2mm
	Délka 5.35mm
	Automobilový standard Ne

Datasheet - BSC037N08NS5ATMA1

MOSFET Infineon řady OptiMOS-TM5, maximální zdrojové napětí vypouštění 80 V, maximální nepřetržitý vypouštěcí proud 131 A – BSC037N08NS5ATMA1

Tento MOSFET je vysokoproudové vylepšovací zařízení s N-kanálem určené pro převod výkonu pro povrchovou montáž a spínací úkoly. Pracuje v širokém rozsahu okolního prostředí a vyhovuje náročným tepelným podmínkám při nízkém poklesu napětí a rychlém spínání řízeném hradlem, které je vhodné pro průmyslová a napájecí prostředí.

Charakteristiky a výhody:

• Jmenovitý vypouštěcí proud 80 V umožňující robustní vysokonapěťové spínání
• Nepřetržitý vypouštěcí proud 131 A pro manipulaci s velkým proudem
• Nízká hodnota Rds(on) 3.7 mΩ snižující ztráty při vedení
• rozptyl výkonu 114 W umožňující trvalé tepelné zatížení
• Typické náboje hradla 46 nC podporující rychlé spínání
• Tolerance hradla 20 V umožňuje flexibilní napětí

Aplikace

• Vhodné pro vysokovýkonové měniče DC/DC v napájecích zdrojích
• Ideální pro synchronní usměrňování v napájecích lištách serverů
• Používá se pro stupně pohonu motoru vyžadující vysoký nepřetržitý proud
• Lze použít pro telekomunikační rozvod napájení a jednotky UPS
• Vhodné pro kompaktní napájecí moduly pro povrchovou montáž v průmyslových systémech

Jaké extrémní teploty může zařízení tolerovat během provozu?

Je určen pro provoz v rozsahu -55 °C až +175 °C.

Kolik elektrických připojení nabízí pouzdro pro uspořádání PCB?

Pouzdro obsahuje osm kolíků pro směrování a tepelné připojení.

Jaký tvar balení a montáže by konstruktéři měli očekávat?

Dodává se v pouzdru TDSON určeném pro povrchovou montáž.

Jaké je napětí při vedení za typických podmínek?

Propojovací napětí je specifikováno na 1,1 V za podmínek vedení.

Který typ kanálu a režim určují polaritu a chování spínání?

Používá strukturu N-kanálu v režimu zesílení pro konvenční spínání high-side nebo low-side.