řada: OptiMOS MOSFET BSC097N06NSATMA1 N-kanálový 46 A 60 V Infineon, TDSON, počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení

Skladové číslo RS:: 110-9115
Výrobní číslo:: BSC097N06NSATMA1
Výrobce:: Infineon

řada: OptiMOS MOSFET BSC097N06NSATMA1 N-kanálový 46 A 60 V Infineon, TDSON, počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení

Mezisoučet (1 balení po 25 kusech)*

148,20 Kč

(bez DPH)

179,33 Kč

(s DPH)

Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč

Dočasně vyprodáno

4 375 jednotka(y) budou odesílané od 10. prosince 2026

Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.

Ks	za jednotku	za balení*
25 +	5,928 Kč	148,20 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:: 110-9115
Výrobní číslo:: BSC097N06NSATMA1
Výrobce:: Infineon

Specifikace

Technické reference

Legislativa a životní prostředí

Podrobnosti o výrobku

Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.

Vybrat vše	Atribut	Hodnota
	Značka	Infineon
	Typ produktu	MOSFET
	Typ kanálu	N
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id	46A
	Maximální napětí na zdroji Vds	60V
	Typ balení	TDSON
	Řada	OptiMOS
	Typ montáže	Povrch
	Počet kolíků	8
	Maximální odpor zdroje Rds	14.6mΩ
	Režim kanálu	Vylepšení
	Maximální ztrátový výkon Pd	36W
	Přímé napětí Vf	1.2V
	Maximální napětí zdroje brány Vgs	-20V, +20V
	Typický náboj brány Qg @ Vgs	12nC
	Minimální provozní teplota	-55°C
	Maximální provozní teplota	150°C
	Výška	1.1mm
	Šířka	6.1mm
	Normy/schválení	No
	Délka	5.35mm
	Automobilový standard	Ne

	Vybrat vše
	Značka Infineon
	Typ produktu MOSFET
	Typ kanálu N
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 46A
	Maximální napětí na zdroji Vds 60V
	Typ balení TDSON
	Řada OptiMOS
	Typ montáže Povrch
	Počet kolíků 8
	Maximální odpor zdroje Rds 14.6mΩ
	Režim kanálu Vylepšení
	Maximální ztrátový výkon Pd 36W
	Přímé napětí Vf 1.2V
	Maximální napětí zdroje brány Vgs -20V, +20V
	Typický náboj brány Qg @ Vgs 12nC
	Minimální provozní teplota -55°C
	Maximální provozní teplota 150°C
	Výška 1.1mm
	Šířka 6.1mm
	Normy/schválení No
	Délka 5.35mm
	Automobilový standard Ne

Nelze použít

MOSFET Infineon řady OptiMOS, zdrojové napětí vypouštění 60 V, nepřetržitý vypouštěcí proud 46 A – BSC097N06NSATMA1

Tento MOSFET je výkonový tranzistor navržený pro spínání a zesilování ve vysokoproudých nízkonapěťových obvodech. Pracuje v rozšířeném teplotním rozsahu a je dodáván v kompaktním pouzdru pro povrchovou montáž, které je vhodné pro hustá uspořádání desek. Zařízení je určeno pro náročné elektronické sestavy, kde je vyžadováno efektivní vedení a řízení hradla.

Charakteristiky a výhody:

• Maximální napětí mezi vypouštěním a zdrojem 60 V umožňuje robustní nízkonapěťové spínání
• Nepřetržitý vypouštěcí proud 46 A podporuje zvládání vysokého proudového zatížení
• Nízká hodnota RDS(on) 14,6 mΩ snižuje ztráty při vedení v napájecích cestách
• Maximální ztrátový výkon 36 W umožňuje trvalé tepelné zatížení
• Typické nabití hradla 12 nC zajišťuje rychlé přechody hradla
• Tolerance Gate-Source 20 V umožňuje flexibilní budicí napětí

Aplikace

• Vhodné pro synchronní snižovací regulátory
• Ideální pro poloviční můstkové obvody motorových pohonů
• Používá se s měničem DC/DC v serverových napájecích zdrojích
• Lze použít pro správu baterií a rozvod napájení
• Vhodné pro přepínání v místě zátěže při vysokém proudu

Jaké tepelné prostředí dokáže během provozu odolat?

Je určen pro provoz v rozsahu -55 °C až 150 °C, což umožňuje použití v průmyslových a vysokoteplotních aplikacích.

Jaké pouzdro a způsob montáže jsou k dispozici pro montáž PCB?

Součást je dodávána v pouzdru TDSON a je navržena pro povrchovou montáž, aby se usnadnila automatizovaná montáž.

Jaký typ kanálu a režim jsou implementovány pro spínací chování?

Zařízení používá topologii s režimem zesílení N-kanálu, která je vhodná pro spínání na nízké a vysoké straně při vhodném spouštění.

Kolik elektrických připojení je zařízení přítomno v obvodu?

Je vybaven 8kolíkovou konfigurací pro připojení k bráně, vypouštění a zdroji a tepelně vodivé cesty.