řada: OptiMOS 5 MOSFET IPP020N06NAKSA1 N-kanálový 120 A 60 V Infineon, TO-220, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 906-2919
- Výrobní číslo:
- IPP020N06NAKSA1
- Výrobce:
- Infineon
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 5 kusech)*
554,27 Kč
(bez DPH)
670,665 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- 155 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | 110,854 Kč | 554,27 Kč |
| 25 - 45 | 99,69 Kč | 498,45 Kč |
| 50 - 120 | 93,12 Kč | 465,60 Kč |
| 125 - 245 | 86,50 Kč | 432,50 Kč |
| 250 + | 80,918 Kč | 404,59 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 906-2919
- Výrobní číslo:
- IPP020N06NAKSA1
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 120A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 60V | |
| Typ balení | TO-220 | |
| Řada | OptiMOS 5 | |
| Typ montáže | Průchozí otvor | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 3mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 106nC | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 20V | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 214W | |
| Přímé napětí Vf | 0.9V | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Výška | 15.95mm | |
| Délka | 10.36mm | |
| Normy/schválení | No | |
| Šířka | 4.57mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 120A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 60V | ||
Typ balení TO-220 | ||
Řada OptiMOS 5 | ||
Typ montáže Průchozí otvor | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 3mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 106nC | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 20V | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 214W | ||
Přímé napětí Vf 0.9V | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Výška 15.95mm | ||
Délka 10.36mm | ||
Normy/schválení No | ||
Šířka 4.57mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
Infineon OptiMOS™5 - výkonové tranzistory MOSF
Tranzistory MOSFET, Infineon
Společnost Infineon nabízí velké a komplexní portfolio zařízení MOSFET, které zahrnuje rodiny CoolMOS, OptiMOS a StrongIRFET. Poskytují nejlepší výkon ve své třídě, který přináší vyšší efektivitu, hustotu energie a efektivitu nákladů. Návrhy vyžadující vysoce kvalitní a vylepšené funkce ochrany využívají standardy MOSFET AEC-Q101, které byly schváleny automobilovým průmyslem.
Související odkazy
- řada: OptiMOS 5 MOSFET N-kanálový 120 A 60 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: OptiMOS 3 MOSFET N-kanálový 120 A 120 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: OptiMOS 3 MOSFET IPP041N12N3GXKSA1 N-kanálový 120 A 120 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: OptiMOS MOSFET N-kanálový 120 A 80 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: OptiMOS MOSFET IPP023N08N5AKSA1 N-kanálový 120 A 80 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: OptiMOS 5 MOSFET N-kanálový 120 A 150 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: OptiMOS 3 MOSFET N-kanálový 120 A 60 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: OptiMOS 3 MOSFET IPP032N06N3GXKSA1 N-kanálový 120 A 60 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení