řada: OptiMOS™ 3MOSFET IPP041N12N3GXKSA1 N-kanálový 120 A 120 V, TO-220, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si

Využijte množstevní slevu

Cena Kus (v jednotce baleni à 2)**

105,10 Kč

(bez DPH)

127,17 Kč

(s DPH)

296 k dispozici s dodáním do 4 pracovních dnů. Doručení může trvat déle z důvodu celního odbavení.*

*Dodací lhůty se mohou měnit v závislosti na množství a dodací adrese.

Kontrola množství na skladě

Standardní dodávka

**orientační cena

Související odkazy

Vlastnost	Hodnota
Typ kanálu	N
Maximální stejnosměrný odběrový proud	120 A
Maximální napětí kolektor/zdroj	120 V
Řada	OptiMOS™ 3
Typ balení	TO-220
Typ montáže	Průchozí otvor
Počet kolíků	3
Maximální odpor kolektor/zdroj	4,1 mΩ
Režim kanálu	Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody	4V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody	2V
Maximální ztrátový výkon	300 W
Konfigurace tranzistoru	Jednoduchý
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj	-20 V, +20 V
Materiál tranzistoru	Si
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs	158 nC
Délka	10.36mm
Šířka	4.57mm
Maximální pracovní teplota	+175 °C
Počet prvků na čip	1
Propustné napětí diody	1.2V
Výška	15.95mm
Minimální provozní teplota	-55 °C