řada: OptiMOS MOSFET Typ N-kanálový 120 A 80 V Infineon, TO-220, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 214-4403
- Výrobní číslo:
- IPP023N08N5AKSA1
- Výrobce:
- Infineon
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 tuba po 50 kusech)*
2 383,05 Kč
(bez DPH)
2 883,50 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- Plus 400 jednotka(y) budou odesílané od 28. srpna 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za tubu* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | 47,661 Kč | 2 383,05 Kč |
| 100 - 200 | 45,282 Kč | 2 264,10 Kč |
| 250 + | 42,895 Kč | 2 144,75 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 214-4403
- Výrobní číslo:
- IPP023N08N5AKSA1
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 120A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 80V | |
| Řada | OptiMOS | |
| Typ balení | TO-220 | |
| Typ montáže | Průchozí otvor | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 2.3mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 300W | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 133nC | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 20V | |
| Přímé napětí Vf | 1.2V | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Výška | 4.4mm | |
| Délka | 10.2mm | |
| Normy/schválení | No | |
| Šířka | 15.93mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 120A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 80V | ||
Řada OptiMOS | ||
Typ balení TO-220 | ||
Typ montáže Průchozí otvor | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 2.3mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 300W | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 133nC | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 20V | ||
Přímé napětí Vf 1.2V | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Výška 4.4mm | ||
Délka 10.2mm | ||
Normy/schválení No | ||
Šířka 15.93mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
Tento MOSFET Infineon OptMOS 5 je ideální pro vysokofrekvenční spínání a synchronní rektifikaci. Vyžaduje méně paralelního zapojení.
Snižuje ztráty při spínání a vedení
Má nízkonapěťové překřípění
Související odkazy
- řada: OptiMOS MOSFET IPP023N08N5AKSA1 Typ N-kanálový 120 A 80 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: OptiMOS 3 MOSFET Typ N-kanálový 120 A 120 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: OptiMOS 3 MOSFET IPP041N12N3GXKSA1 Typ N-kanálový 120 A 120 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 TO-220, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: OptiMOS 3 MOSFET Typ N-kanálový 120 A 60 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: OptiMOS 5 MOSFET Typ N-kanálový 120 A 60 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: OptiMOS 5 MOSFET Typ N-kanálový 120 A 150 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: OptiMOS 3 MOSFET IPP032N06N3GXKSA1 Typ N-kanálový 120 A 60 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení