AEC-Q101, řada: OptiMOS-T2 MOSFET Typ N-kanálový 120 A 80 V Infineon, TO-220, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení

Zobrazit vše v kategorii MOSFET

Mezisoučet (1 tuba po 50 kusech)*

3 201,10 Kč

(bez DPH)

3 873,35 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Na objednávky v hodnotě nižší než 1 500,00 Kč (bez DPH) se vztahuje poplatek ve výši 180,00 Kč.
Skladem
  • 950 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks
za jednotku
za tubu*
50 +64,022 Kč3 201,10 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:
214-9087
Výrobní číslo:
IPP120N08S403AKSA1
Výrobce:
Infineon
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

Infineon

Typ produktu

MOSFET

Typ kanálu

Typ N

Maximální trvalý vypouštěcí proud Id

120A

Maximální napětí na zdroji Vds

80V

Typ balení

TO-220

Řada

OptiMOS-T2

Typ montáže

Průchozí otvor

Počet kolíků

3

Maximální odpor zdroje Rds

2.8mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Přímé napětí Vf

1.3V

Typický náboj brány Qg @ Vgs

128nC

Minimální provozní teplota

-55°C

Maximální napětí zdroje brány Vgs

20 V

Maximální ztrátový výkon Pd

278W

Maximální provozní teplota

175°C

Šířka

4.57 mm

Výška

9.45mm

Délka

10.36mm

Normy/schválení

No

Automobilový standard

AEC-Q101

Infineon nabízí velké a komplexní portfolio zařízení MOSFET, které zahrnuje rodiny CoolMOS, OptiMOS a Strong IRFET. Poskytují nejlepší výkon ve své třídě, který přináší vyšší efektivitu, hustotu výkonu a efektivitu nákladů. Konstrukce vyžadující vysokou kvalitu a vylepšené funkce ochrany těží z průmyslových standardů AEC-Q101 MOSFETy s certifikací pro automobilový průmysl.

Produkt je kvalifikován jako AEC Q101

Má provozní teplotu 175 °C.

Testováno 100% Avalanche

Související odkazy