řada: TK MOSFET TK12J60W,S1VQ(O N-kanálový 11.5 A 600 V Toshiba, TO-3PN, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 891-2881
- Výrobní číslo:
- TK12J60W,S1VQ(O
- Výrobce:
- Toshiba
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 jednotka)*
68,67 Kč
(bez DPH)
83,09 Kč
(s DPH)
Informace o zásobách jsou momentálně nepřístupné - Ověřte si to později
Ks | za jednotku |
|---|---|
| 1 - 4 | 68,67 Kč |
| 5 - 9 | 64,96 Kč |
| 10 - 24 | 61,26 Kč |
| 25 - 49 | 58,05 Kč |
| 50 + | 55,08 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 891-2881
- Výrobní číslo:
- TK12J60W,S1VQ(O
- Výrobce:
- Toshiba
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Toshiba | |
| Typ kanálu | N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 11.5A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 600V | |
| Typ balení | TO-3PN | |
| Řada | TK | |
| Typ montáže | Průchozí otvor | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 0.3Ω | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 25nC | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | -30V, +30V | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 110W | |
| Přímé napětí Vf | 1.7V | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Šířka | 4.5mm | |
| Normy/schválení | RoHS | |
| Výška | 20mm | |
| Délka | 15.5mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Toshiba | ||
Typ kanálu N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 11.5A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 600V | ||
Typ balení TO-3PN | ||
Řada TK | ||
Typ montáže Průchozí otvor | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 0.3Ω | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 25nC | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs -30V, +30V | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 110W | ||
Přímé napětí Vf 1.7V | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Šířka 4.5mm | ||
Normy/schválení RoHS | ||
Výška 20mm | ||
Délka 15.5mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
- Země původu (Country of Origin):
- JP
Tranzistory MOSFET, Toshiba
Související odkazy
- řada: DTMOSIV MOSFET TK31J60W5 TO-3PN, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: DTMOSIV MOSFET TK39J60W5 TO-3PN, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: TK MOSFET TK20J60W TO-3P, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: TK MOSFET N-kanálový 9 A 900 V Toshiba počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: TK MOSFET TK9J90E N-kanálový 9 A 900 V Toshiba počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: TK MOSFET N-kanálový 20 A 600 V Toshiba počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: TK MOSFET N-kanálový 11.5 A 600 V Toshiba počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: TK MOSFET TK12E60W TO-220, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení