řada: TK MOSFET TK12E60W,S1VX(S Typ N-kanálový 11.5 A 600 V Toshiba, TO-220, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 827-6113
- Výrobní číslo:
- TK12E60W,S1VX(S
- Výrobce:
- Toshiba
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 5 kusech)*
307,52 Kč
(bez DPH)
372,10 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Poslední zásoby RS
- Posledních 20 ks/položek skladem k odeslání z jiného místa
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | 61,504 Kč | 307,52 Kč |
| 25 - 45 | 49,302 Kč | 246,51 Kč |
| 50 - 120 | 44,954 Kč | 224,77 Kč |
| 125 - 245 | 41,20 Kč | 206,00 Kč |
| 250 + | 36,952 Kč | 184,76 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 827-6113
- Výrobní číslo:
- TK12E60W,S1VX(S
- Výrobce:
- Toshiba
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Toshiba | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 11.5A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 600V | |
| Typ balení | TO-220 | |
| Řada | TK | |
| Typ montáže | Průchozí otvor | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 300mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Přímé napětí Vf | -1.7V | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 110W | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 25nC | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Normy/schválení | No | |
| Výška | 15.1mm | |
| Délka | 10.16mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Toshiba | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 11.5A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 600V | ||
Typ balení TO-220 | ||
Řada TK | ||
Typ montáže Průchozí otvor | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 300mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Přímé napětí Vf -1.7V | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 110W | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 25nC | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Normy/schválení No | ||
Výška 15.1mm | ||
Délka 10.16mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
- Země původu (Country of Origin):
- CN
Tranzistory MOSFET, Toshiba
Související odkazy
- řada: TK MOSFET Typ N-kanálový 11.5 A 600 V Toshiba počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: TK MOSFET TK31E60W TO-220, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: TK MOSFET Typ N-kanálový 31 A 600 V Toshiba počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: DTMOSIV MOSFET TK16E60W5 TO-220, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: TK MOSFET TK12J60W TO-3PN, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: TK MOSFET Typ N-kanálový 105 A 60 V Toshiba počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: TK MOSFET Typ N-kanálový 43 A 60 V Toshiba počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: TK MOSFET Typ N-kanálový 214 A 80 V Toshiba počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení