řada: TK MOSFET Typ N-kanálový 43 A 60 V Toshiba, TO-220, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 796-5083
- Výrobní číslo:
- TK30E06N1
- Výrobce:
- Toshiba
Využijte množstevní slevu
Mezisoučet (1 balení po 5 kusech)*
121,77 Kč
(bez DPH)
147,34 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 500,00 Kč
Skladem
- 5 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
- Plus 2 350 jednotka(y) budou odesílané od 23. dubna 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 24,354 Kč | 121,77 Kč |
| 50 - 120 | 22,18 Kč | 110,90 Kč |
| 125 - 245 | 20,996 Kč | 104,98 Kč |
| 250 - 495 | 19,068 Kč | 95,34 Kč |
| 500 + | 17,538 Kč | 87,69 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 796-5083
- Výrobní číslo:
- TK30E06N1
- Výrobce:
- Toshiba
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Toshiba | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 43A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 60V | |
| Řada | TK | |
| Typ balení | TO-220 | |
| Typ montáže | Průchozí otvor | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 15mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Přímé napětí Vf | -1.2V | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 16nC | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 53W | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 20 V | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Normy/schválení | No | |
| Šířka | 4.45 mm | |
| Výška | 15.1mm | |
| Délka | 10.16mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Toshiba | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 43A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 60V | ||
Řada TK | ||
Typ balení TO-220 | ||
Typ montáže Průchozí otvor | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 15mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Přímé napětí Vf -1.2V | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 16nC | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 53W | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 20 V | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Normy/schválení No | ||
Šířka 4.45 mm | ||
Výška 15.1mm | ||
Délka 10.16mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
MOSFET N-Channel, řada TK3x, Toshiba
Tranzistory MOSFET, Toshiba
Související odkazy
- řada: TK MOSFET TK30E06N1 Typ N-kanálový 43 A 60 V Toshiba počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: TK MOSFET Typ N-kanálový 105 A 60 V Toshiba počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: TK MOSFET Typ N-kanálový 214 A 80 V Toshiba počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: TK MOSFET Typ N-kanálový 207 A 100 V Toshiba počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: TK MOSFET Typ N-kanálový 55 A 80 V Toshiba počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: TK MOSFET TK35E08N1 Typ N-kanálový 55 A 80 V Toshiba počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: TK MOSFET TK100E08N1 Typ N-kanálový 214 A 80 V Toshiba počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: TK MOSFET TK40E06N1 Typ N-kanálový 60 A 60 V počet kolíků: 3 kolíkový Toshiba Vylepšení
