řada: TKMOSFET TK20J60W,S1VQ(O N-kanálový 20 A 600 V, TO-3PN, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
- Skladové číslo RS:
- 168-7964
- Výrobní číslo:
- TK20J60W,S1VQ(O
- Výrobce:
- Toshiba
Mezisoučet (1 tuba po 25 kusech)*
3 199,75 Kč
(bez DPH)
3 871,50 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 500,00 Kč
Skladem
- 325 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
- Plus 999 999 650 jednotka(y) budou odesílané od 22. ledna 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za tubu* |
---|---|---|
25 + | 127,99 Kč | 3 199,65 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 168-7964
- Výrobní číslo:
- TK20J60W,S1VQ(O
- Výrobce:
- Toshiba
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
---|---|---|
Značka | Toshiba | |
Typ kanálu | N | |
Maximální stejnosměrný odběrový proud | 20 A | |
Maximální napětí kolektor/zdroj | 600 V | |
Typ balení | TO-3PN | |
Řada | TK | |
Typ montáže | Průchozí otvor | |
Počet kolíků | 3 | |
Maximální odpor kolektor/zdroj | 155 mΩ | |
Režim kanálu | Vylepšení | |
Maximální prahové napětí řídicí elektrody | 3.7V | |
Maximální ztrátový výkon | 165 W | |
Konfigurace tranzistoru | Jednoduchý | |
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj | -30 V, +30 V | |
Šířka | 4.5mm | |
Délka | 15.5mm | |
Maximální pracovní teplota | +150 °C | |
Materiál tranzistoru | Si | |
Počet prvků na čip | 1 | |
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs | 48 nC při 10 V | |
Výška | 20mm | |
Vybrat vše | ||
---|---|---|
Značka Toshiba | ||
Typ kanálu N | ||
Maximální stejnosměrný odběrový proud 20 A | ||
Maximální napětí kolektor/zdroj 600 V | ||
Typ balení TO-3PN | ||
Řada TK | ||
Typ montáže Průchozí otvor | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor kolektor/zdroj 155 mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Maximální prahové napětí řídicí elektrody 3.7V | ||
Maximální ztrátový výkon 165 W | ||
Konfigurace tranzistoru Jednoduchý | ||
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj -30 V, +30 V | ||
Šířka 4.5mm | ||
Délka 15.5mm | ||
Maximální pracovní teplota +150 °C | ||
Materiál tranzistoru Si | ||
Počet prvků na čip 1 | ||
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs 48 nC při 10 V | ||
Výška 20mm | ||
Související odkazy
- řada: TKMOSFET TK20J60W TO-3PN, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
- řada: TKMOSFET TK39J60W5 TO-3PN, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
- řada: TKMOSFET TK12J60W5 A 600 V počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
- řada: TKMOSFET TK31J60W5 TO-3PN, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
- řada: TKMOSFET TK16J60W8 A 600 V počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
- řada: TKMOSFET TK9J90E N-kanálový 9 A 900 V počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
- řada: QFETMOSFET FQA24N60 N-kanálový 23 A 600 V počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
- řada: SuperFETMOSFET FCA20N60F N-kanálový 20 A 600 V počet kolíků: 3 Jednoduchý Si